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六、合成钻石及鉴定;早期合成钻石晶体;(二)合成原理、设备及过程、方法:
1.原理及理论基础
a. 高温高压生长
天然钻石的生长环境、包裹体、晶体结构和实验模拟研究表明:钻石生长于高温高压的条件;
合成的温压范围:50~80kb 1350~1800℃
钻石在常温常压下为亚稳定状态,因钻石中C-C键要转变为石墨结构需很大能量,因而钻石可以在常温、常压下可稳定存在。
;;d.合成方法:
总体上有三种类型方法:
(1)静压法:包括种晶触媒法、静压触媒法、
静压直接转变法;
(2)动力法:如爆炸法、液中放电法等;
(3)亚稳定区生长法:如化学气相沉淀法、
常压高温合成法等。
宝石级钻石合成方法:种 晶 触 媒 法
;种晶触媒法,又包括:
压带法和俄罗斯的BARS系统
(1)压带法:将钻石粉作为碳源放在生
长舱内,生长舱放在两个碳
化钨砧之间,再使其经受高
温高压作用,生长舱底部的
温度比顶部略低,顶部钻石
粉溶解并朝底部运动,钻石
在低温区围绕籽晶开始生长。
;(2)BARS系统:
又称分裂球无压装置。该装置压力是通过将液体注入压力筒内获得,而不是靠水压机提供。内部反应舱内有加热装置,籽晶、钻石粉和金属触媒。
时间:7天左右,约5mm单晶体,时间长,大晶体
;;;;;;; ;;;3. 晶体表面有不规则树枝状生长花纹,与天然钻石表面 三角生长标志或阶梯状生长纹明显不同。
4. 紫外荧光和磷光:短波紫外光下,合成钻石具有特征的荧光,部分钻石具有磷光。
;5. 阴极发光:合成钻石具有规则的阴极发光试样,八面
体发光区和立方体发光区排列规则。
天然钻石表现为复杂的发光图案。
;;合成钻石的CL图象;天然钻石的CL图象;天然钻石的CL图象;6. 吸收光谱:合成钻石通常为Ib型,缺失415nm吸收谱。而大多数天然钻石具有415nm、452nm、465nm、478nm吸收线。
如将合成钻石进行高压高温处理,亦可产生Ia型钻石。
7.晶体形态差异:合成钻石大多为立方体和八面体的聚形,合成钻石的形态和合成的温度、压力相关。
8. 部分合成钻石具有磁性,因钻石中较多的微小金属触媒包裹体所致。
;;;
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