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Pr和Dy共掺杂BiFe0.97Mn0.03O3薄膜的制备及多铁性能研究
班: 指导教师:
(科技大学材料科学与工程学院 )
摘 要:采用溶胶-凝胶法在FTO/glass衬底上成功制备出Pr、Mn共掺杂Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3(x=0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜和Pr、Dy、Mn共掺杂Bi1-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3(x=0.04,0.05,0.06,0.07)薄膜,并对其进行了结构、形貌、铁电性等方面的测试与分析。Pr掺杂量为15%时,薄膜的的铁电性能最好,其电滞回线达到饱和,在1034kV/cm测试场强下,剩余极化值为95.7μС/cm2,矫顽场为320kV/cm。Dy掺杂使得薄膜铁电性能下降,掺杂4%时,薄膜在1029kV/cm场强下,剩余极化值为79.7μС/cm2,矫顽场为283kV/cm。
关键词:铁酸铋,多铁材料,溶胶凝胶法,掺杂,铁电性
Study on The Multiferroic Properties of The (Pr,Dy,Mn) Co-doped BiFeO3 Thin Films
ABSTRACT:Pr3+, Dy3+ and Mn2+ co-doped multifferroic BiFeO3 thin films, Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3, and Bi0.85-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3(x=0.04, 0.05, 0.06, 0.07) were successfully prepared on FTO/glass substrates by Sol-gel technique, and its structure, surface morphologies, ferroelectric properties were tested and analyzed. When doped with 15% of Pr, the film obtains the best ferroelectric properties, and a saturated hysteresis loop. its remnant polarization strength is 95.7μС/cm2, coercive field is 320kV/cm, under the applied electric field of 1034kV/cm. When doped with Dy, ferroelectric properties of the film get worse. When doped with 4% of Dy, the remnant polarization strength of the film is 79.7μС/cm2 and the coercive field is 283kV/cm, under the applied field of 1029kV/cm.
KEY WORDS: BiFeO3, multiferroic materials, Sol-gel method, doped, ferroelectric property
1 引言
多铁材料又被称为磁电材料,是指同时具有铁电性、铁磁性或铁弹性中两种或两种以上铁性的材料。磁电材料中同时存在的磁性和铁电性来自其序参数的耦合[1],该材料互补了纯的(反)铁电或(反)铁磁材料的不足而同时呈现电和磁的有序性[2],此种性质使得多铁材料在传感器、信息存储、自旋电子以及磁电耦合器件等方面有着十分重要的应用前景,因此半个世纪以来一直为国内外科学家所重视。BFO作为一种常见的单相多铁材料,由于其具有较高的铁电居里温度(TC约1103K)和较高的反铁磁尼尔温度(TN约643K),而被认为是最具有应用前景的多铁材料。然而,纯相BFO材料中漏电流较大,室温下难以观测到饱和的电滞回线,从而限制了该材料的应用。为了改善BFO的铁电性,人们尝试采用离子掺杂来较小BFO材料的漏电流,提高其性能。本实验即采用溶胶-凝胶法在FTO/glass衬底上制备了Pr、Dy、Mn共掺杂的BFO薄膜。
2 实验及测试
以硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O),硝酸铁(Fe(NO3)3·9H2O),硝酸镝(Dy(NO3)3·6H2O),硝酸镨(Pr(NO3)3·6H2O)和醋酸锰(C4H6MnO4·4H2O)作为初始原料,乙二醇甲醚和醋酸酐为溶剂,根据所需化学计量比配制Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3(x=0.05,0.10,0.15,0.20)和Bi1-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3(x=0.
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