硅片沾污控制学习版.pptxVIP

第六章 硅片沾污控制;沾污的类型 沾污的来源与控制 硅片的湿法清洗介绍 干法清洗方案介绍;6.1 沾污的类型;三道防线: 1. 净化间（clean room） 2. 硅片清洗（wafer cleaning） 3. 吸杂（gettering）;净化间沾污分为五类 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD）;颗粒：所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。;各种可能落在芯片表面的颗粒;半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。 一道工序，引入到硅片中，超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语表征为：每步每片上的颗粒数（PWP）。 在当前生产中应用的颗粒检测装置能检测到的最小颗粒直径约为0.1微米。;二.金属沾污;金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：SC-1, SC-2（H2O2：强氧化剂）; 金属离子在半导体材料中是高度活动性的，被称为可动离子沾污（MIC）。当MIC引入到硅片中时，在整个硅片中移动，严重损害器件电学性能和长期可靠性。 对于MIC沾污,能迁移到栅结构中的氧化硅界面，改变开启晶体管所需的阈值电压。 由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间失效。;三. 有机物的沾污;四. 自然氧化层 ;五. 静电释放 静电释放（ESD）也是一种污染形式，因为它是静电，从一个物体向另一个物体，未经控制的转移，可能会损坏芯片。 ESD产生于，两种不同静电势材料的接触或摩擦。 半导体制造中，硅片加工保持在较低的湿度中，典型条件为40％±10％的相对湿度（RH，Relative Humidity）。增加相对湿度可以减少带电体的电阻率，有助于静电荷的释放，但同时也会，增加侵蚀带来的沾污。 ;静电释放导致金属导线蒸发，氧化层击穿。（总电量小，但是区域集中，放电时间短，导致高电流） 电荷积累吸引，带电颗粒或其他中性颗粒，会引起后续沾污。; 半导体器件制造厂房存在7种沾污源：空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备。 一. 空气 净化间最基本的概念是：对硅片工厂空气中的颗粒控制。我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污。; 净化级别，标定了净化间的空气质量的级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的。 ;二. 人 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。 ; 现代超净服是高技术，膜纺织品或密织的聚酯织物。先进的材料对于0.1微米及更大尺寸的颗粒具有99.999%的效率级别。 超净服的系统目标： 1）对身体产生的，颗粒和浮质的总体抑制； 2）系统颗粒零释放； 3）对ESD静电释放的零静电积累； 4）无化学和生物残余物的释放。;三．厂房 为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出。在净化间布局、气流流动模式、空气过滤系统、温度和湿度的设定、静电释放等方面都要进行完善的设计，同时尽可能减少通过设备、生产器具、人员、净化间供给，引入的颗粒和持续监控净化间的颗粒，定期反馈信息及维护清洁。;为实现净化间中的超净环境，气流种类是关键的。对于100级或一下的净化间，气流是层流状态，没有湍流气流模式。 垂直层流对于外界气压具有轻微的正压，充当了屏蔽，以减少设备或人到暴露着的产品的横向沾污。;对于流体流动状态的描述——; 空气进入到天花板内的特效颗粒过滤器，以层流的模式流向地面，进入到空气再循环系统后与补给的空气一道返回空气过滤系统。在现代工艺线上，空气每6秒可以周转1次。 特效颗粒过滤器： 高效颗粒空气过滤器（HEPA）：用玻璃纤维制成，产生层状气流。 超低渗透率空气过滤器（ULPA）：指那些具有99.9995%或更高效率过滤直径超过0.12 μ m颗粒的过滤器。; 对硅片加工设备温度和湿度的设定有着特别的规定。一个1级0.3μm的净化间温度控制的例子是23±0.5摄氏度。 相对湿度（RH）很重要，因为它会助长侵蚀，例如自然氧化层的生长。典型的RH设定为40％±10％。; 多数静电释放可以通过合理运用设备和规程得到控制。主要的ESD控制方法有： 防静电的净化间材料 ESD接地 空气电离。; 四．水 为了制造半导体，需要大量的高质量、超