GaN基蓝光半导体激光器的发展_图文.docVIP

维普资讯 物理 学 和 裔新 技 术　 中国科学院长春物理研究所对 Ｚ Ｓ ｅ ｎ Ｓ 材料的研究 已 　 有 数 十 年 的 历 史 ． 们 不 但 研 制 出 蓝 光 Ｌ Ｄ， 且　 他 Ｅ 而 也 成 功 地研 制 出蓝 光 的半 导 体 激 光 器 ， 是 限 于 材　 只 料 的固有特性 ， 与国际同行一样 ， 尚未做成实用化 的　 产 品． 国 Ｇ Ｎ 系 材 料 虽 然 起 步 较 晚 ， 有 志 于 并　 我 ａ 但 真正 投 身该 领 域 的科 学 工 作 者 和 团 队多 而 强 ， 不　 据 完全统计 ： 中国科学 院半导体研究所 、 北京大学 、 　 中 国电子科技集 团第十 三研究 所 、 南京 大学 、 昌大　 南 学、 清华大学和中国科 学院物理研究所 等 国内具有　 顶 尖学 术 地位 和 实 力 的单 位 都 投 入 了该 工作 ． 们　 他 不但 在 常 规六 方 相 Ｇ ｉ 料 生 长 上 取 得 重 大 进 展 ， ａ ｎ材 　 而且 在 立 方 相 Ｇ ｉ 料 的 生 长 上 取 得 国际 领 先 的　 ａ ｎ材 盏 　 丧　 霉　 创新性成果 ， 为世界第一个实现立方相 Ｇ Ｎ 电注　 成 ａ 入 发光 的团组 ． 管 目前我 国 Ｇ ｉ 材 料 生 长 可 以　 尽 ａ ｎ系 做成一定发光亮度 的蓝光甚 至绿 光 Ｌ Ｄ， Ｅ 也有不少　 公司致力于蓝光或绿光 Ｌ Ｄ的批量生产 ， 与国外　 Ｅ 但 商 品先进水平相比， 不但发光亮度尚有差距 ， 而且生　 图 ６ 室温连续激射的激光器（ Ｇ Ｎ的衬底上采用 Ｅ Ｏ 在 ａ Ｌ Ｇ技术） 　 （ ）Ｌ—Ｉ ａ 和　 一 ，曲线 ；（ ｂ）远 场图　 ３ｍ Ｗ ． 　 产规模还小． 要实现受激发射 ， 不但要在提高外延材　 料光学质量和降低 内损耗 上狠下功夫 ， 在包括欧姆　 接 触 、 法刻 蚀 以及 高 质 量 的解 理 和 划 片 在 内 的关 　 干 键技术上狠下功夫 ， 而且还要 为提供高质量 的衬底　 Ｎ Ｃ公 司推 出 了一 种 ＲＳ ｒ ｇ　ｙｓｌ ｔｅｒ? Ｅ ｉ（ ｄｅｂ　ｅｅ ｉ 　ｅ　 ｉ ｃｖ ｇｗｈ， 择 再 生 长脊 形 ） 构 的 蓝 光 激 光 器 ， 用 这　 ｏｔ 选 结 利 材料付出特别的努力． 　 令人高兴 的是 ，０ ２年 ２月 ， ２０ 我们 台湾 的同仁　 也 已实现了 Ｇ Ｎ蓝光激光器的室温脉冲激射． ａ 　 种技术可 以精确控 制激光器 的脊形结构 ， 获得单模　 工作模式 ， 优化远场特性　Ｊ ． 　 Ｘ ｒｘ公 司 利 用 键 合 技 术 ， 蓝 宝 石 衬 底 上 的　 ｅｏ 将 Ｇ Ｎ外延 片 ， 键 合 到其 他衬 底 （ Ｉ ，ｉ ｃ 　 ａ 倒 如 ｎ Ｓ或 ｕ Ｐ 等） 上面 ， 然后 将蓝 宝石衬 底用激 光束加 热 的方法　 移 去 ． 用 这种 方 法 能 实现 垂 直 电极 的结构 ， 采 并且 容　 易 获 得解 理 的腔 面 ． ｅｏ Ｘ ｒｘ公 司 用 这 种 方 法 ， 功 地　 成 实现了键 合 到 ｃ ｕ衬 底 上 的激 光器 的 高温 连续 激　 射． 　 此外 ， 夏普公 司采用离子注人手段也获得室温　 连续激射 的激光 器． Ｕ Ｓ 而 Ｃ Ｂ的研 究小组则 利用键　 合技术制作 出 Ｇ Ｎ的垂直腔 面发射激光器． ａ 　 就从世界范 围而言 ， 日亚公 司一支独 秀的时期　 已经 过 去 ， 别是 光 存 储 产 业 的 巨 头 已经 介 入 蓝 光 　 特 激光器的生产 ， 预示着蓝光激 光器将 大规模地被　 这 应 用 ， Ｇ Ｎ基 Ｌ 为 光 源 的 ＨＤ—Ｄ Ｄ 产 业 的 时　 以 ａ Ｄ Ｖ 代 到来 的脚步声 已隐约可 闻了． 　 ８ 国际光存储技 术 的最新进展　 　 目前 ， Ｇ Ｎ蓝光半导体激光器为光源的 Ｄ Ｄ 以 ａ Ｖ　 光学 头 的研 发 工作 也 在 积 极 开 展 之 中 ． ７是 光 存　 图 储 系统的示意 图． 据报道 ， 松下公司在实现室温连续　 激射 Ｇ ｉ蓝光激光器基础上 ， ａ ｎ 并与数值 孔径为 ０５ ．　 的非球面物镜配合 ， 做出了波长为 ４ ０ ｎ、 ０ ｎｌ 光束质量　 好的实 际光 学 系统 ， 估计 面记 录 密度 可 达 到现 行　 Ｄ Ｄ的 ２ ６ ． Ｖ ． 倍 而索尼公 司使用 发射波长 为 ４ ０ ｍ ０ｎ　 的 Ｇ ｉ半 导体激 光 器作 为光 源 ， 合 数值 孔径 为　 ａ ｎ 结 ０８ ．５的 物 镜 ， 制 出 的 光 学 头 ， 存 储 密 度 可 达　 研 其 １Ｇ ｉ 用 蓝 光激 光 器 为光 源 的 Ｄ ８ ｂｔ ． ＶＤ—Ｒ ＡＭ 的研 制