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第十四章 半导体二极管和三极管 § 14.1 半导体的导电特性 半导体： 导电能力介乎导体和绝缘体之间，如 锗、硅、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都 是半导体。 半导体的导电机理不同于其它物质，所 以它具有不同于其它物质的特点。比如： 当受外界热和光的作用时，它的导 电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质， 会使它的导电能力明显改变。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和 锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 14.1.1 本征半导体 本征半导体： 完全纯净的、具有晶体结构 的半导体。 晶体中原子排列的方式 硅单晶中的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4 表示除 去价电子 后的原子 在获得一定能量（温度升高或光照）后，最外 层电子可挣脱原子核的束缚而成为 自由电子 。 失去一个电子就留下一个子 空穴 ，从而使原子 呈现为正离子，并吸引邻近的电子。 +4 +4 +4 +4 本征半导体的导电机理 自由电子 空穴 束缚电子 本征半导体的导电机理 在无外电压的情况下，自由电子与空穴 是成对出现的且无规则移动的。 自由电子和空穴都称为载流子，温度越 高，载流子越多，半导体的导电性也越好， 因此温度对半导体的性能影响很大。 在外电场的作用下，自由电子作定向移 动，空穴则反向移动，形成电流。 14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体 Si Si P Si 自由电子 磷原子 + N 型半导体 ：在硅或锗晶体中掺入微量杂质 （磷元素）后形成半导体。 Si Si B Si 空穴 硼原子 - P 型半导体 ：在硅或锗晶体中掺入微量杂质 （硼元素）后形成半导体。 总 结 3 、由于载流子的运动方向是无规则的，因此宏观上 半导体是不带电的。但掺杂后的半导体的自由电子或 空穴剧增，所以导电性也大大提高。 1 、多数载流子 N 型半导体：自由电子 P 型半导体：空穴 2 、少数载流子 N 型半导体：空穴 P 型半导体：自由电子 § 14.2 PN 结 14.2.1 PN 结的形成 P 型半导 体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导 体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空穴 自由电子 P 型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 内电场 E 方向 空间电荷区 空间电荷区的性质： 1 . 多数载流子因扩散复合而消耗了，所以又称为耗尽层。 2 . 空间电荷区中的正负离子不能移动，但在交界面处形成了一个电 场，这个电场将阻挡多数载流子的进一步复合，所以又称为阻挡层。 3 . 扩散与漂移达到动态平衡。 内电场方向 － － － + + + P N 1 2 1 2 14.2.2 PN 结的单向导电性 PN 结正向偏置 － － － － + + + + 内电场方向 外电场方向 变窄 P N + _ 内电场被削弱， 多子的扩散加强 能够形成较大的 扩散电流。 R I PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场方向 外电场方向 变宽 N P + _ 内电场被被加强， 多子的扩散受抑 制。少子漂移加 强，但少子数量 有限，只能形成 较小的反向电流。 R 0 ? I P N 半导体二极管符号 § 14.3 PN 结 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 死区 电压 反向击穿电 压 U (BR) U （ V ） 0.4 0.8 ? ? A I ? ? ? mA I -50 -25 -20 80 60 40 20 -40 -60 1. 最大整流电流 I OM 2. 反向工作峰值电压 U RWM 3. 反向峰值电流 I RM 14.3.3 主要参数 例：二极管的应用： R R L u i u R u o - + + + - - - + C D t u i u t p 0 t u o 0 t u R 0 § 14.4 稳压二极管 + - 符号： 主要参数： U Z 1. 稳定电压 U Z I ZM ? U Z ? I Z 3. 动态电阻 r Z I Z 4. 稳定电流 I Z 2. 电压温度系数 U ? 5. 最大允许耗散功率 P ZM U(v) I(mA) 伏安特 性曲线 § 14.5 半导体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C P P N 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 14.5.1 基本结