电子线路线性部分课件第三章.pptVIP

第三章 晶体场效应管 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法 相似，可以采用 估算法 分析电路直流工作点；采 用 小信号等效电路法 分析电路动态指标。 3.1.5 MOS 管电路分析方法 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由 于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有 明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一 定要注意自身特点。 ? 估算法 退出 第三章 晶体场效应管 ? MOS 管 截止模式判断方法 假定 MOS 管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式 （ 需重新计算 Q 点 ） N 沟道管 ： V GS V GS(th) P 沟道管 ： V GS V GS(th) 截止条件 ? 非饱和与饱和（放大）模式判断方法 a) 由直流通路写出管外电路 V GS 与 I D 之间关系式。 c) 联立解上述方程，选出合理的一组解。 d) 判断电路工作模式： 若 | V DS | | V GS – V GS(th) | 若 | V DS | | V GS – V GS(th) | b) 利用饱和区数学模型： 2 GS(th) GS OX D ) ( 2 V V l W C I ? ? ? 退出 第三章 晶体场效应管 例 1 已知 ? n C OX W /(2 l ) = 0.25mA/V 2 ， V GS(th) = 2V , 求 I D 解： 假设 T 工作在放大模式 V DD (+20V) 1.2M ? 4k ? T S R G1 R G2 R D R S 0.8M ? 10k ? G I D S D G2 G1 DD G2 S G GS R I R R V R V V V ? ? ? ? ? 2 GS(th) GS OX D ) ( 2 V V l W C I ? ? ? 带入已知条件解上述方程组得： I D = 1mA V GS = 4V 及 I D = 2.25mA V GS = - 1V （舍去） V DS = V DD - I D （ R D + R S ） = 6V 因此 验证得知： V DS V GS – V GS(th) ， V GS V GS(th) ， 假设成立。 退出 第三章 晶体场效应管 ? 小信号等效电路法 场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 ? 利用微变等效电路分析交流指标。 ? 画交流通路 ? 将 FET 用小信号电路模型代替 ? 计算微变参数 g m 、 r ds 注：具体分析将在第四章中详细介绍。 退出 第三章 晶体场效应管 3.2 结型场效应管 ? JFET 结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D 退出 第三章 晶体场效应管 ? N 沟道 JFET 管外部工作条件 V DS 0 ( 保证栅漏 PN 结反偏 ) V GS 0 ( 保证栅源 PN 结反偏 ) 3.2.1 JFET 管工作原理 P + P + N G S D - + V GS V DS + - 退出 第三章 晶体场效应管 ? V GS 对沟道宽度的影响 |V GS | ? 阻挡层宽度 ? 若 | V GS | 继续 ? 沟道全夹断 使 V GS = V GS (off) 夹断电压 若 V DS =0 N G S D - + V GS P + P + N 型沟道宽度 ? 沟道电阻 R on ? 退出 第三章 晶体场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理 3.1 MOS 场效应管 第三章 场效应管 退出 第三章 晶体场效应管 概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前 制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： ? 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 ? 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。 场效应管分类： MOS 场效应管 结型场效应管 退出 第三章 晶体场效应管 3.1 MOS 场效应管 P 沟道（ PMOS ） N 沟道（ NMOS ） P 沟道（ PMOS ） N 沟道（ NMOS ） MOS FET 增强型（ EMOS ） 耗尽型（ DMOS ） N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似，不 同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因 此导致加在各极上的电压极性相反 。 退出 第三章 晶体场效应管 N + N + P + P + P U S G D 3.1.1 增强型 MOS 场效应管 ? N 沟道 EMOSFET 结构示意图 源极 漏极 衬底极 SiO 2 绝缘层 金属栅极 P 型硅 衬底 S G U D 电路符号