（整理）IGBT的结构原理及特性.pptVIP

2 IGBT的国内外研究现状 纵观全球市场，IGBT主要供应厂商基本是欧美及几家日本公司，它们代表着目前IGBT技术的最高水平，包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。在高电压等级 领域（3300V以上）更是完全由其中几家公司所控制，在大功率沟槽技术方面，英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。这些公司不仅牢牢控制着市场，还在技术上拥有大量的专利。 近几年，国内IGBT技术发展也比较快，国外厂商垄断逐渐被打破，已取得一定的突破，国内IGBT行业近几年的发展大事记： （1）2011年12月，北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够封装6500V以上IGBT产品的企业。 （2）2013年9月，中车西安永电成功封装国内首件自主设计生产的50A/3300V IGBT芯片； （3）2014年6月，中车株洲时代推出全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线投入使用； （4）2015年10月，中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验； （5）2016年5月，华润上华/华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产。 1 　ＩＧＢＴ的基本结构 三端器件：栅极G、集电极C、发射极E。 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号