半导体分立器件的命名方法.docVIP

???? 半导体分立器件的命名方法 半导体分立器件的命名方法表9 国产半导体分立器件型号命名法C1W）C1W）C31W)C31W）国际电子联合会半导体器件型号命名法或NF）进行分档。美国电子工业协会半导体器件型号命名法的分档标志。日本半导体器件型号命名法1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品， 半导体分立器件的命名方法 表9国产半导体分立器件型号命名法 C1W） C1W） C31W) C31W） 国际电子联合会半导体器件型号命名法 或NF）进行分档。 美国电子工业协会半导体器件型号命名法 的分档标志。 日本半导体器件型号命名法 1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗