四探针法测电阻率.pdf

四探针法测电阻率 【实验目的】 1.掌握四探针测试电阻率的原理和方法. 2.学会如何对特殊尺寸样品的电阻率测试结果进行修正. 3.了解影响电阻率测试结果的因素. 【教学重点】 1.四探针测试电阻率的原理和方法； 2.特殊尺寸样品的电阻率测试方法； 【教学难点】 影响电阻率测试结果的因素及其修正方法 【时间安排】6学时 【教学内容】 一、检查学生预习情况 检查预习报告。 二、学生熟悉实验仪器设备 RTS-8型四探针测试仪。 三、讲述实验目的和要求 1. 检查仪器的连线是否正确，仪器状态是否正常，并预热. 2. 用螺旋测微器测量圆形单晶硅片的厚度，有效数字为3位. 3. 用游标卡尺确定测量点. 4. 在距离圆心1/4直径处测量硅片的电阻率. 5. 在距离边缘5mm 或6mm 处测量硅片的电阻率. 6. 对比不同位置处所测量的电阻率值. 四、实验原理 假定在一块半无穷大的均匀电阻率样品上，放置两个点电流源1和4. 电流由1流入，从4流出， 如图4.7-1所示.另外，图中2和3代表的是样品上放置的两个测电压的探针，它们相对于1和4 两点的距离分别为r r r r 、 、 、 .在半无穷大的均匀电阻率样品上点电流源所产生的电场具有 12 42 13 43 球面对称性，那么电场中的等势面将是一系列以点电流源为中心的半球面，如图4.7-2所示. 1 图4.7-1 位置任意的四探针示意图 图4.7-2 半无穷大样品上点电流源的半球等势面 I r 设样品电阻率为 ，样品电流为 ，则在距离点电流源为 处的电流密度 为 J I J （4.7-1） 2 r2 又根据欧姆定理的微分表达式 J （4.7-2） 其中， 为 处的电场强度.由（4.7-1）、（4.7-2）式得 r I （4.7-3） 2 r 2 另外，电场强度的定义式为 dV dr 取r为无穷远处的电势V为0，则有 V ( r) r 0 dV dr I 1