电子行业标准 SJT 11701-2017 通用NAND型快闪存储器接口.pdfVIP

ICS 31.200 L 56 备案号： SJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/TXXXXX—201X 通用NAND型快闪存储器接口 CommonNAND flashmemoryinterface 点击此处添加与国际标准一致性程度的标识 （报批稿） XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 SJ/TXXXXX—201X 目  次 前  言III 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 术语和定义1 4 物理接口2 4.1 信号描述2 4.2 器件封装2 4.3 极限工作电压2 4.4 推荐工作电压条件3 4.5 直流参数3 5 阵列排布4 5.1 通则4 5.2 地址6 5.3 出厂坏块映射7 5.4 器件初始化8 6 数据接口和时序8 6.1 通则8 6.2 总线状态8 6.3 测试条件9 6.4 时序参数9 6.5 接口时序图11 7 指令定义13 7.1 指令集13 7.2 页读功能14 7.3 两平面读15 7.4 页编程15 7.5 回拷贝编程16 7.6 两平面编程17 7.7 两平面回拷贝18 7.8 区块擦除19 7.9 两平面区块擦除20 7.10 读状态20 7.11 读识别码（ID）21 7.12 器件信息查询表23 7.13 读唯一识别码（UID）24 I SJ/TXXXXX—201X 7.14 重置25 附录A (资料性附录) 器件封装尺寸描述26 II SJ/TXXXXX—201X 前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC78/SC2）提出并归口。 本标准主要起草单位：上海复旦微电子集团股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、深圳 市中兴微电子技术有限公司、深圳海思半导体有限公司。 本标准主要起草人