数字电路 第九章资料教程.pptVIP

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  • 2020-06-03 发布于天津
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第9章 半导体存储器 ;9.1 只读存储器(ROM) ;五、ROM的应用 ;第9章 半导体存储器 ;;9.1 只读存储器(ROM) ;2.按使用器件类型来分 ;二.ROM的结构 :;四、ROM的逻辑关系: ;D0;五、ROM的应用 ;首先应将以上两个逻辑函数化成由最小项 组成的标准“与-或”式,即;ROM 阵列如图9.1.9所示;例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路,其真值表如表9.1.2所示。;2.字符发生器 ;六、固定ROM(MROM:Mask ROM) ;9.2 随机存储器(RAM) ;X0;与ROM相比,多了读/写(R/W)端。 ;二、存储容量的扩展 ;2.字扩展 ;图 9.2.7 2114芯片字扩展;例9.2.1试用1K ×4位2114RAM扩展一个4K ×8位的存储器。;CS;三、动态RAM(DRAM) ;作业题;主板BIOS ,也称系统BIOS。目前电脑主板BIOS主要有Award BIOS、AMI BIOS和 Phoenix BIOS三种,包含加电自检程序POST(Power On Self Test)、CMOS Setup程序和中断服务子程序。;内存主要是168线的SDRAM,在主板上提供168线DIMM内存插座,工作电压是3.3 V。;静态存储器(SRAM)的类型和特点 Cache SRAM:用于CPU内部或外部(L1 / L2)高速缓存。 PB SRAM(Pipeline Burst Cache SRAM):主要用于在Socket 7 主板上的高速缓存。SRAM不能作为电脑的主存,只用于关键性的地方。 ;CPU;CPU主频=外频×倍频;图7-19 技嘉GA–6VX7+主板各个部件的工作频率;存储矩阵M×N;1;表9.1.1 图9.1.2的地址输入与输出状态对应关系;Q3;([ ]);字线Wi;存储单元用叠栅注入MOS管构成(SIMOS);存储单元由一只普通的N沟道增强型MOS管,和一只Flotox管组成。;集中了UVEPROM和E2PROM的优点。

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