光刻胶最新版本.pptVIP

. . 集成电路用光刻胶 2018.06 溶剂 Resin/Polymer，惰性的聚合物，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶机械和化学性质。 Photoactive Compound，光刻胶材料中的光敏成分，对光能发生光化学反应。 Additive，控制光刻胶材料的化学物质，用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质。 Solvent，使得光刻胶具有流动性、易挥发，对于光刻胶的化学性质影响较低。 树脂型聚合物 光引发剂 添加剂 光刻胶组分 光刻胶分类 在正性光刻中，正胶的曝光部分结构被破坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。相反地，在负性光刻中，负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解，掩模部分则会被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 集成电路光刻胶基本情况 为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式，不断提高极限分辨率。 目前，世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV(13.5nm)线水平。 从市场看，g线和i线光刻胶的市场份额最大。随着未来功率半导体、传感器、LED市场的持续扩大，i线光刻胶市场将持续增长，而精细化需求的增加将推动KrF光刻胶的增长并逐渐替代i线光刻胶。ArF光刻胶对应的IC制程节点最为先进，且随着双/多重曝光技术的使用，ArF光刻胶的市场将快速成长。 半导体光刻胶分类 点击输入您的标题内容 分辨率，resolution 区别硅片表面相邻图形特征的能力，一般用关键尺寸（CD）来衡量分辨率，形成的CD越小，光刻胶的分辨率越好。 分辨率 对比度 敏感度 对比度，Contrast 光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 敏感度，Sensitivity 光刻胶上产生一个良好图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 半导体核心技术参数 点击输入您的标题内容 粘滞性/黏度，Viscosity 衡量光刻胶流动特性的参数。黏滞性随着光刻胶中溶剂的挥发减少而增加；粘滞性越低，光刻胶厚度就越均匀。 粘滞性/粘度 粘附性 表面张力 粘附性，Adherence 光刻胶与晶圆衬底之间的粘着强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形，同时要承受后续工艺的影响。 抗蚀性，Anti-etching 光刻胶必须保持一定粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面，这种性质被称为抗蚀性。 半导体核心技术参数 抗蚀性 存储和传送能力 表面张力，Surface Tension 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。小的表面张力，使光刻胶具有较好的流动性和覆盖能力。 存储和传送，Storage and Translation 光刻胶受能量（光和热）的影响，一旦存储超出温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。 集成电路光刻胶基本情况 光刻胶的质量和性能是影响集成电路、成品率以及可靠性的关键性因素。 光刻胶工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%，在整个芯片工艺时长中占据40%-60%，是半导体制造中的核心材料。 光刻胶产品约占集成电路制造材料总成本的4%。 2017年，全球半导体光刻胶销售额达到12.05亿美元的市场规模。从全球半导体光刻胶分类市场份额占比来看，g/i线光刻胶市场份额占比为24.0%，KrF光刻胶市场份额占比为22.0%，ArF/液浸ArF光刻胶市场份额占比为41.0%。 集成电路光刻胶国产化情况 中国大陆本土光刻胶产品主要集中在低端产品，集成电路光刻胶市场份额不足5%。 从国内整体来看，目前市场主流的四种中高端光刻胶：g线、i线、KrF、ArF，我国已经实现了其中g/i线的量产，并将逐步提升供货量；KrF已经通过认证，但还处于攻坚阶段；ArF光刻胶乐观预计在2020年能有效突破并完成认证。 谢谢聆听 THANK YOU FOR YOUR ATTENTION . * * *