05晶体管的开关特性教学幻灯片.ppt

上海电子信息职业技术学院 半导体器件物理 第五章 晶体管的开关特性 上海电子信息职业技术学院 半导体器件物理 第 5 章 晶体管的开关特性 5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题 ● —— 本章重点 开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） ? 晶体管的开关时间及减小的方法 晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。双极型器件是一种电子与空穴皆参与导电过程的半导体器件，与只由一种载流子参与传导的场效应晶体管不同。（场效应晶体管将在第七、八两章中进行讨论。） 5.1 二极管的开关作用和反向恢复时间 利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性，可以把二极管作开关使用。当开关K打向A时，二极管处于正向，电流很大，相当于接有负载的外回路与电源相连的开关闭合，回路处于接通状态（开态）；若把K打向B，二极管处于反向，反向电流很小，相当于外回路的开关断开，回路处于断开状态（关态）。 在开态时，流过负载的稳态电流为I1 V1为外加电源电压，VJ为二极管的正向压降，对硅管VJ约为0.7V，锗管VJ约为0.25V，RL为负载电阻。通常VJ远小于V1，所以上式可近似写为 在关态时，流过负载的电流就是二极管的反向电流IR。 把二极管作为开关使用时，若回路处于开态，在“开关”（即二极管）上有微小压降；当回路处于关态时，在回路中有微小电流，这与一般的机械开关有所不同。 说明 二极管的反向恢复时间 假设外加脉冲的波形如图5-6(a)所示，则流过二极管的电流就如图5-6(b)所示。 导通过程中（外电路加以正脉冲），二极管P区向N区输运大量空穴，N区向P区输运大量电子。 随着时间的延长，N区内空穴和P区内电子不断增加，直到稳态时停止。在稳态时，流入N区的空穴正好与N区内复合掉的空穴数目相等，流入P区的电子也正好与P区内复合掉的电子数目相等，达到动态平衡，流过P-N结的电流为一常数I1。 随着势垒区边界上的空穴和电子密度的增加，P-N结上的电压逐步上升，在稳态即为VJ。此时，二极管就工作在导通状态。 当某一时刻在外电路上加的正脉冲跳变为负脉冲，此时，正向时积累在各区的大量少子要被反向偏置电压拉回到原来的区域，开始时的瞬间，流过P-N结的反向电流很大，经过一段时间后，原本积累的载流子一部分通过复合，一部分被拉回原来的区域，反向电流才恢复到正常情况下的反向漏电流值IR。正向导通时少数载流子积累的现象称为电荷储存效应。二极管的反向恢复过程就是由于电荷储存所引起的。反向电流保持不变的这段时间就称为储存时间ts。在ts之后，P-N结上的电流到达反向饱和电流IR，P-N结达到平衡。定义流过P-N结的反向电流由I2下降到0.1 I2时所需的时间为下降时间tf。储存时间和下降时间之和（ts+tf）称为P-N结的关断时间（反向恢复时间）。 反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 如果脉冲持续时间比二极管反向恢复时间长得多，这时负脉冲能使二极管彻底关断，起到良好的开关作用； 如果脉冲持续时间和二极管的反向恢复时间差不多甚至更短的话，这时由于反向恢复过程的影响，负脉冲不能使二极管关断。 所以要保持良好的开关作用，脉冲持续时间不能太短，也就意味着脉冲的重复频率不能太高，这就限制了开关的速度。 5.2 开关晶体管的静态特性 晶体管共射开关电路原理图 VBB 偏置电压 RL 负载电阻 当基极回路中输入一幅值VI远大于VBB的正脉冲信号时， 基极电流立即上升到 在驱动电流IB的作用下，发射结电压降逐渐由反偏变为正偏，晶体管由截止变为导通，集电极电流也将随着发射结正向压降的上升而增大。 当集电极电流增加到负载电阻上的压降ICRL达到或者超过VCC-VBE时，集电结将变为零偏，