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5.5 MOSFET的直流参数与温度特性 5.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压V T 2、饱和漏极电流 IDSS 只适用于耗尽型MOSFET，表示当VGS = 0，VDS VDsat 且 恒定时的 IDsat ，即 ? ? ? ? I (V V ) ? 2 DSS 2 GS T 2 2 V T 3、截止漏极电流 只适用于增强型MOSFET，表示当VGS =0 ，外加VDS 后的 亚阈电流与PN结反向电流引起的微小电流。 4、通导电阻Ron 表示当MOSFET工作于线性区，且VDS 很小时的沟道电阻。 当VDS 很小时，ID可表示为 I ? ? ? 1 ? ? ? S ? ? ? ? 2 D (V V )V V (V V )V GS T D DS GS T DS ? ? 2 ? V 1 L R ? ? ? DS on ? ? Z? C V ?V I (V V ) ( D GS T n OX GS T ) 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流IG 极小，通常小于10-14 A 。 5.5.2 MOSFET 的温度特性 1 、阈电压与温度的关系 1 Q 1 ? ? ? VT 2 (2 ) 2 ? ? ? ? qN ?V ? OX ? ? 2 MS s A FB BS FB C C OX OX ? 上式中与温度关系密切的只有 ， FB dV T dT ? 2(2 ? qN ? s A C OX 2(2 ? FB 1 2 ) V BS ) 1 2 ? d ? FB dT ? 2 d ? FB dT ? ? ? ? ? ? (2 ? qN s A ? C OX (2 ? FB 1 2 ) V BS ) 1 2 ? ? ? 2 ? ? ? ? d ? FB dT ? FB ? kT q ln N A n i ? kT q ? ln? ? ? N A N C N V ? exp? ? E G 2kT ? ? ?? ? ? ? ? kT q ? ? ? ? ln N A N C N V ? E G 2kT ? ? ? ? ? kT q ln N A N C N V ? E G 2q d k ? ? FB ln dT q N A N N C V ? ? 1 dV (2 qN ) k ? ? 2 ? ? ? T 2 ln s A ? ? 1 dT q ? ? ? ? C (2 V ) 2 ? ? OX FB BS N A N C N V dV T ? N ? 0 式中， CN N ，所以对于 N沟MOSFET， ， V A dT 阈电压具有负温系数。 用同样的方法可以得到P沟道MOSFET的阈电压与温度的 dV T ? 关系，并且得到 0，所以P沟道MOSFET的阈电压具有 dT 正温系数。 dV T 无论N沟道还是P沟道， 约为每度几mV，所以温度 dT 对于阈电压的影响不是很大。 2 、漏极电流与温度的关系 Z 1 ? ? ? ? I ? ? 2 C V V V V ? ? ? ? D 2 n OX GS T DS DS L ? ? 上式中与温度关系密切的有 ?n 与 。 V T dI D dT ? ? I D ?? n ? d ? n dT ? ? I D ? V T ? dV T dT ? I D ? n ? d ? n dT ? Z L ? C V n OX DS dV T dT d dV ? ? n ? T ? 3 ? ? T 0 因 ， ，又已知N沟MOSFET的 0, 2 n dT dT dI 所以 的正负取决于 ID 的大小，也即（VGS –VT ）的大小。 D dT (1) 当（VGS –VT ）较大时， dI D ? dT 0, dI D ? (2) 当（VGS –VT ）较小时， 0, dT dI D ? (3) 令 ，可解得 dT 1 dV dT ? ? ? V V V ? ? ? n T GS T ? DS 2 d d n 当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电 流无影响。对P沟道MOSFET也可得到类似的结论。 总的说来，MOSFET有较好的温度稳定性。 5.5.3 MOSFET的击穿电压 漏PN结雪崩击穿、源、漏之间的穿通 1、漏源击穿电压BVDS (a) 漏PN结雪崩击穿 由于在漏与栅之间存在附加电场，使MOSFET的漏源击穿 电压远低于相同掺杂和结深的PN结雪崩击穿电压。当衬底掺杂 浓度小于1016 cm-3 后，BVDS 就主要取决于VGS 的极性、大小和 栅氧化层的厚度TOX 。 (b) 源、漏之间的穿通 L ? x d ? ? ? ? 2 (V s bi ? qN ? A V pt ) ? ? ? 1 2 略去Vbi 后得 qN V ?