63导体、绝缘体和半导体的能带论解释.docVIP

6.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 一.满带电子不导电 二.未满带电子导电 三.近满带和空穴导电 四.导体、绝缘体和半导体 见黄昆书 5.3节p250 虽然所有固体都含有大量电子，但却有导体和绝缘体 之分，这一基本事实曾长期得不到严格解释，能带论首次 从理论上做了严格说明，是能带论发展初期的重大成就， 也由此开辟了金属电导、绝缘体和半导体的现代理论。 有电场存在时，由于不同材料中电子在能带中的填充情况 不同，对电场的响应也不同，导电能力也各不相同。我们分三 种情况讨论（针对价电子形成的价带而言)： 满 带：电子已填满了能带中所有的能态。 导 带：一个能带中只有部分能态填有电子，而其余的能 态为没有电子填充的空态。 近满带：一个能带的绝大部分能态已填有电子，只有少数 能态是空的。 能带中每个电子对电流的贡献 -ev(k)，因此带中所有 电子的贡献为： 1 ? ? ? ? ? ? ? J e v k V k 求和包括能带中所有被占据态。 一. 满带电子不导电 在 k 空间中，对于同一能带有 ? ? ? ? n ? n E k E -k 容易证明，对于同一能带，处于k态和处于－k态的电 子具有大小相等方向相反的速度。 1 ? ? ? ? v k E k ? ? k n ? 1 1 ? ? ? ? ? ? ? ? v -k E -k E k v k ? ? ? ? ? ? ? -k n k n ? ? 当没有外加电场时，在一定温度下，电子占据 k 态和－k态的 几率只与该状态的能量有关。所以，电子占据 k 态和－k态的 几率相同，这两态的电子对电流的贡献相互抵消。由于能带 相对于 k是对称的，所以，电流密度对整条能带积分后也没 有宏观电流，即 J ＝ 0。 当存在外加电场时，由于满带中所有能态均已被电子 填满，外电场并不改变电子在满带中的对称分布，所以不 产生宏观电流，I＝0。 简易说明： 1 v E ? ? 从速度公式 ，我们可以得到一个重要结果： k ? 一个完全充满电子的能带不能形成电流。根据公式可知： ? ? ? ? v ?k ? ?v k （见右下图） 这可以从能量对称关系中给出。 ? ? ? ? E k ? E ?k 能带中所有电子产生的总电流密度是： 1 ? ? ? ? J e v k V k 由于上面的关系，求和为零。 所以满带不能形成电流。 二. 未满带电子导电——导带： 下图所示部分填充的能带和满带不同，在外电场作 用下，可以产生电流。 不存在电场时，由于电子在能带中的对称填充， 非满带也不存在宏观电流。 电子在外电场中运动 Bloch振荡 GaAs/Al0.3Ga0.7As Superlattices Lyssenko et al., PRL 79, 301 (1997). 存在散射时电子的运动 达到稳态 存在散射时电子的运动 贡献电流 欧姆定律微观形式 ? v(k) E(k) 0 0 当存在电场时，由于导带中还有部分没有电子填充的空态， 因而导带中的电子在外场的作用下会产生能级跃迁， 从而使导带中的对称分布被破坏，产生宏观电流，I?0。 三. 近满带和空穴导电 在有外场时，由于近满带中仍有少量没有电子占据的 空态，所以在外场的作用下，电子也会发生能级跃迁，导 致电子的不对称分布，所以， I ? 0。 假设近满带中有一个 k 态中没有电子，设 I(k) 为这种 情况下整个近满带的总电流。设想在空的 k 态中填入一个 电子，这个电子对电流的贡献为－ev(k)。但由于填入这个 电子后，能带变为满带，因此总电流为 0 。 ? ?? ??? ? ????0 I k ev k ? ? e ? ? ?I k ? v k 这表明，近满带的总电流就如同一个带正电荷e，其速度 为空状态 k 的电子速度一样。 在有电磁场存在时，设想在 k 态中仍填入一个电子形成满 带。而满带电流始终为0，对任意 t 时刻都成立。 d d ? ? e v ? ? I k k ? dt dt 作用在 k 态中电子上的外力为 ? ?k? ? F ε v B = ?e ? ? 电子的准经典运动： dv F ? d t m? 2 d d e ? ? = ? ? ? + ? I k v k ? ? ? v ? B e d d t t m? 而在能带顶附近，电子的有效质量为负值，m* 0。 d e ? ? ? ? ? ? I k ? v k ? B = e + e d t m? ?e? + ev ?k?? B? 为正电荷e在电磁场中所受的力。 所以，在有电磁场存在时，近满带的电流变化就如同 一个带正电荷 e，具有正有效质量 ?m*?的粒子一样。 定义：当满带顶附近有空状态 k 时，整个能带中的电流 以及电流在外电磁场作用