半导体中的载流子统计分布.doc

第三章 半导体中的载流子统计分布 半导体的电子状态，能带 半导体的杂质能级 半导体的电子分布 1 §3.1 状态密度 §3.2 费米能级和载流子的统计分布 §3.3本征半导体的载流子分布 §3.4杂质半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 §3.6 简并半导体 电子能量 载流子的 载流子的 跃迁 跃迁 导带 导带 施主能级 价带 载流子的复 载流子的复 合 合 导带 导带 复合中心 价带 价带 3 载流子的跃迁：价带→导带，低能量→高能量 载流子的复合：高能量→低能量 动态平衡 跃迁 复合 热平衡载流子：热平衡状态下的导电电子和空穴。 温度变化，载流子热平衡下浓度也相应变化 本章所解决的中心问题： 1.一定温度下半导体中平衡载流子浓度。 2. 半导体载流子随温度变化的规律 4 §3.1 状态密度 Density of States(DOS) 状态密度 g(E) 定义： E → E+dE 范围内有dZ 个量子态 g( ) = E dZ dE g(E):在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 Tip: 要想求出 E → E+dE 范围内的量子态个数 dZ 只要求出E → E+dE 范围内的 (k x, ky, kz) → (kx+dkx, ky+dky, kz+dkz) k 空间的体积元。 dZ = ( × k空间体积元）（k空间的量子态密度） 5 K空