扩散定律（可修改）.pptVIP

., 第四节 固相反应的过程及机理 3、第一脱活期 如图10－15（c）所示。温度约在500°C左右，反应产物已经形成。但产物的正常晶格结构还未形成。随着产物层的增廪，产物层对反应物质点扩散的阻碍作用增加。 4、第二活化期 如图10－15（d）所示。温度约在550～620°C，由于温度的升高，一种反应物的质点扩散到另一反应物颗粒内部进行反应。由于此时反应在颗粒内部进行。因此，往往伴随着颗粒表面层的疏松及活化。这时产物的晶核开始形成并开始成长。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 2、环转易位扩散 如图中（2）所示，几个结点位置上的质点以封闭的环形依次交换位置进行迁移。 3、空位扩散 如图中（3）所示，质点从结点位置上迁移到相邻的空位中，在这种扩散方式中，质点的扩散方向是空位扩散方向的逆方向。 4、间隙扩散 如图中（准）所示，间隙质点穿过晶格迁移到另一个间隙位置。 5、准间隙扩散 如图中（5）所示，间隙质点从间隙位置迁到结点位置，并将结点位置上的质点撞离结点位置而成为新的间隙质点。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 讨论： 在以上各种扩散中 1、易位扩散所需的活化能最大； 2、由于处于晶格位置的粒子势能最低，在间隙位置和空位处势能较高，故空位扩散所需活化能最小。 因而空位扩散是最常见的扩散机理其次是间隙扩散和准间隙扩散。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 质点在晶体由于相互间较强的结合力被束缚在结点位置，只有当质点获得足以跳越能垒G的能量时，才能使扩散得以进行，G称为扩散活化能。 三、扩散活化能 扩散活化能的大小反映了质点扩散的难易程度。 扩散活化能的大小与扩散的微观方式有关 ，还与扩散介质的 性质和结构有关。 图1 粒子跳跃势垒示意图 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 四、扩散系数 在扩散介质中，作无规则布朗运的大量质点的扩散系数取决于质点的有效跃迁频率f和迁移自由行程r平方的乘积： 对于不同的晶体结构和不同的扩散方式，质点的有效跃迁频率f和迁移自由行程r都具有不同的数值，故其扩散系数也不同。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 在空位扩散形式中，有效迁移到空位的频率： f=Apγ 式中 γ—质点成功跃迁的频率，p —质点周围出现空位的几率 若空位是由晶体中本征热缺陷产生，则： p=exp(-△Gf/2kT) 式中△Gf——空位形成能。 质点成功跃迁的频率γ可由绝对反应速度理论即质点克服能垒的活化能求得： γ=γ0 exp(-△Gm/RT) 式中γ0——质点在晶格平衡位置上的振动频率； △Gm——扩散能垒。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 得空位扩散系数为： D=A r2/6 ·γ0 ·exp(-△Gf/2kT) ·exp(-△Gm/RT) 式中 r—空位与邻近结点上质点的距离，A r2/6的值取决于晶体结构，称为几何因子。 在间隙扩散形式中，由于晶体中间隙原子浓度往往很小，所以实际上间隙原子所有邻近间隙位置都是空的。因此，可供间隙原子跃迁位置几率可近似地看成为1。则间隙机构的扩散系数为： D=A r2/6 ·γ0·exp(-△Gm/RT) 比较两式可以看出，它们均具有相同的形式。 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 为方便起见，习惯上将各种晶体结构中空位或间隙扩散系数统一于如下表达式：  其中Do称为频率因子，Q称为扩散活化能。 显然：空位扩散活化能是由空位形成能和空位迁移能两部分组成；而间隙扩散活化能只包括间隙质点的迁移能，无形成能。 ? ., 第二节 扩散机理和扩散系数 离子晶体材料中的扩散以空位扩散为主。在离子晶体中，点缺陷主要来自两个方面： 一方面是本征点缺陷，如Schottkey热缺陷和Frenkle热缺陷。其缺陷浓度取决于温度的高低。由这类点缺陷引起的扩散称本征扩散。 另一方面是由于掺入与晶体中离子不等价的杂质离子而产生的掺杂点缺陷。由此类缺陷引起的扩散称非本征扩散。 五、固体中的扩散 1、离子晶体中的扩散 ., 第二节 扩散机理和扩散系数 在高温情况下，离子晶体结构中来自本征缺陷的空位浓度(Nν′)远远大于杂质缺陷浓度(Ni)，此时扩散由本征扩散控制。本征扩散的扩散系数中的扩散活化能包括空位形成能和空位迁移能。 在低温情况下，结构中由温度所决定的本征缺陷浓度(Nν′)大大降低，它与杂质缺陷浓度(Ni)相比，可以近似忽略不计，故扩散由非本征扩散控制，非本征扩散的扩散系数中的扩散活化能只包括空位迁移能。 存在于体系中的空位总浓度(Nν)包含有由温度所决定的本征缺陷浓度(Nν′)和由杂质浓度所决定的非本征缺陷浓度(Ni)两个部分，即 Nν= Nν′+ Ni