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封装工艺流程简介 2016-Jan-1 封装工艺流程简介 FOL 圆片收取 基板收取 IQA 来料检验 SMT 表面贴装* 可选 IQA 来料检验 Taping 贴保护膜 WB1 球焊1 WB2 球焊2*可选 BG 背部研磨 Pre-bake 基板烘烤 W/M 3/O 圆片装载 第三次光学检查 De-tape 去掉保护膜 Fail QA Pass D/S 芯片切割 QA第三次光学检查 2/O 第二次光学检查 Fail QA QA第二次光学检查 Pass DA 装片 DAC 装片后烘 Plasma 等离子清洗 封装工艺流程简介 EOL 产品收取 Plasma 等离子清洗 MD 包封 PMC 包封后烘烤 LMK 激光打印 SGN 产品切割 Lead scan 外观扫描 FVI 外观检查 Fail QA QA外观检查 Pass Packing 包装 封装工艺流程简介 设备: 材料: Taping 贴保护膜 胶膜 晶圆 描述: 在圆片表面贴上一 层保护膜以防止在磨 片过程中圆片表面线 路受损。 作业平台 BG+W/M+ De-taping 背部研磨+贴片+去胶膜 去胶膜 描述: 贴片 通过研磨轮对圆片的 背面进行研磨，使其符 合封装工艺要求。 研磨砂轮 原始厚度晶圆 晶圆背面 目标厚度晶圆 封装工艺流程简介 WS 圆片切割 设备: 描述: 通过高速旋转的刀 片将绷膜好的wafer 切 割成单个 的芯片，与此 同时冷却水和离子水一 边冷却由于高速摩擦而 产生的热量; 一边清洗 划片时产生的硅屑。 Laser grooving 激光开槽 描述: 在极短的时间内，激光 雷射能量通过聚光 棱镜集中照射到微 小的面积上，使固 体升华或者蒸发， 从而达到切割的目 的.主要用于Low-K 圆片的切割 封装工艺流程简介 SMT 表面贴装 描述: 将电容，电阻，电感 等元器件通过锡膏贴焊 于基板上,然后通过 Reflow 焊接，最后通过 Cleaning机台清洗产品 表面的助焊剂。 Solder Paste Printing Surface Mount Technology SMT Cleaning SMT reflow 封装工艺流程简介 Baking 烘烤 设备: N2以防止PCB氧化 N2 inlet 描述: PCB需要在做DA之 前做一下烘烤，以去 除PCB中的水分，提高 产品的可靠性能。 Carrier Carrier 125oC Outlet 封装工艺流程简介 设备: Die Attach 装片 描述: 利用银浆或Film的 粘性将切割好的好的 晶粒吸取并粘贴于基 板上,以便于后制程作 业。 DAC 装片后烘烤 描述: 装片后的基板需要 放在烘箱中进行烘烤， 以确保银浆或者Film能 粘住芯片。 封装工艺流程简介 Plasma 等离子清洗 设备: 描述: 使用电解氩离子和高 活性原子，将表面污 染形成挥发性气体， 再有真空系统带走， 达到表面清洁之作用 ，使得焊线时结合力 更好。 WB 球焊 设备: 描述: 利用金线(铜线)将晶 粒与基板上的外接电 路连接， W/B质量的好 Capillary Wire 坏直接影响到产品的 可靠性,性能和使用寿 命。 金线 焊针 晶粒 铝垫 金手指 封装工艺流程简介 Plasma (Before MD) 等离子清洗 描述: 设备: 氩离子 H2O 氧离子 CO2 Ar2 + O2 使用电解氩离子和氧 离子，将表面污染及 碳化物清洗掉，以增 U 加PCB与塑封料的结合 ，提高产品的可靠性 能。 等离子清洗示意图 封装工艺流程简介 MD 包封 设备: 描述: 将前道完成后的产品 ，使用塑封料把芯片 塑封起来,免受外力损 坏。同时加强器件的 物理特性便于使用。 封装工艺流程简介 PMC 包封后烘 N2 inlet 描述: 把塑封后的产品放入烘箱对其 进行固化，以提高塑封体的硬 度，稳定固化物分子结构。 Carrier Carrier 175oC Outlet 封装工艺流程简介 MK 激光打印 设备: 描述: 将被打印的内容在计算 机上编好，通过机器使具 有一定能量的激光束按照 设定的轨迹在塑封体上烧 刻出所需要的打印内容。 通常打印的内容括： 客户公司商标、产品 批次号、封装日期和国家 等。 激光 XX科技 CZ013 2014.01.06 XXX科技 CZ013 20 封装工艺流程简介 SGN 切割 设备: 描述: 将一条产品用刀片切 成一个一个的产品并盛装 在Tray盘中,便于后续包 装出货. Blade 刀片 封装工艺流程简介 FVI 外观检验 设备: 描述: 对产品进行人工检验 （产品外观缺陷，如印字 、植球、基板和塑封体表 面的品质等） 封装