光电二极管与太阳能电池.docVIP

第七章 太阳电池和光电二极管 一 名词 术语 概念 问 题 ? 光生伏特效应：光生伏特效应就是半导体吸收光能后利用 各种势垒产生光生电动势的效应，这些势垒可以是PN结、 MS结、异质结等。 ? PN结光生伏特效应涉及到的物理过程：PN结光生伏特效 应涉及到以下三个主要的物理过程：第一，半导体材料吸 收光能产生出非平衡的电子—空穴对；第二，非平衡电子 和空穴从产生处向非均匀势场区运动，这种运动可以是扩 散运动，也可以是漂移运动；第三，非平衡电子和空穴在 非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。结果在P区边 界将积累非平衡空穴，在N区边界将积累非平衡电子，产 生一个与平衡P—N结内建电场方向相反的光生电场。于是， 在P区和N区之间建立了光生电动势。 ? 太阳电池的效率:太阳电池的最大输出的电功率与 吸收的光功率之比。 ? 用能带图分析PN结光生伏特效应的物理过程。 ? 答： 图7-5a是平衡P-N结能带图。在光子能量大于禁带宽 度的光的照射下，在半导体中就会产生电子－空穴 对。在P-N结的空间电荷区的作用下，在P区边界 将积累非平衡空穴，在N区边界将积累非平衡电子， 产生一个与平衡P-N结内建电场方向相反的光生电 场。于是，在P区和N区之间建立了光生电动势。 积累的光生载流子部分地补偿了平衡P-N结的空间电 荷，引起P-N结势垒高度的降低，如图7.5b所示。 如果P-N结处于开路状态，光生载流子只能积累于 P-N结两侧产生光生电动势。这时在P-N结两端测 V 得的电位差叫开路电压，用 表示。从能带图上 0c q ( ) q V ψ 0 ? 看，P-N结势垒由 ψ 降低到 。可以看出， 0c 0 势垒降低的部分正好是P区和N区费米能级分开的 距离。 如果把P-N结从外部短路，则P-N结附近的光生载流 子将通过这个途径流通。这时流过太阳电池的电 流叫短路光电流，用 表示。其方向从P-N结内 I L 部看是从N区指向P区的。由于这时非平衡载流子 不再积累在P-N结两侧，光生电动势为零。 一般情况下，P-N ， 结材料和引线总有一定电阻 R S 这时光生载流子只有一部分积累于P-N结上，使势 垒降低 ， 是电流流过 时,在 上产生的电 qV V R RS S 压降。如图7.5c所示。这时P区和N区费米能级分 开的距离仍然代表P-N结势垒降低的程度，如果加 上负载就会有光电流通过。 q ψ 0 E c E F E V （a） q ψ ? ( 0 Voc) 图7-5 E c qV EF oc P-N结能带图： E （a）无光照平衡P-N结 V （b）光照P-N结开路状态 （b） （c）光照 P-N结 ( V ) qψ ? 0 有串联电阻时的状态。 qV E E c F E V （c ) ? 画出太阳电池的等效电路图，根据等效电路 写出I-V特性 I h ν I D R L I L V R L 图7-6 太阳电池理想等效 电路 I ( ) V = L ? = + 1? I I I I e V T D L 0 （7-6） 式中 ( 1) 为P-N结正向电流，称为太阳电池 = 0 V V ? ID I e T 的暗电流。 为P-N结饱和电流。 I 0 画出考虑串联电阻的太阳电池的等效电路图，根据 等效电路写出V-I特性. 解：实际的太阳电池存在着串联电阻和分流电阻。 串联电阻是接触电阻和薄层电阻的总和，它使电 流－电压特性发生改变，分流电阻是P-N结泄漏电 流引起的。考虑到串联电阻RS和分流电阻RSh 的作 用，太阳电池的等效电路图如图所示。 根据图可以写出考虑到串联电阻作用的V-I特性公式 I = I + I ? e + ? + 0[1 ] V IR (V IR ) /V （7-11） s T L I sh R S I I I sh L I D V R R I Sh L c 〔图7-8 〕包括串联电阻和分 流电阻的太阳电池等效电路 ? 画出P-I-N光电二极管的结构示意图和能带图，说 明其工作原理。 解：在P层和N层之间夹入一层本征（或低掺杂）的I 层材料。这种结构的光电二极管称为P-I-N光电二 极管。图7-20示出P-I-N光电二极管的基本结构以 及反偏压下的能带图。 半导体吸收光之后产生电子—空穴对。产生在耗尽 层和耗尽层外，在载流子扩散区内的电子—空穴 对会进入空间电荷区被电场（外加反向偏压引起 的电场和P-N结自建电场）分开，它们漂移通过耗 尽层，在外电路产生电流。P层和N层中间的 I 层 也叫耗尽层，起到增加耗尽层宽度的作用。在足 够高的反偏压下I 层完全变成耗尽层，其中产生的 电子—空穴对立刻被电场分离而形成光电流。在 I 层之外产生的电子—空穴对以扩散方式向耗尽层边 缘扩散然后被耗尽层收集。它们形成扩散电流