第三章 IC制造工艺.pptx

第三章 集成电路工艺 §3.1 概述 §3.2 集成电路制造工艺 §3.3 BJT工艺 §3.4 MOS工艺 §3.5 BiMOS工艺 §3.6 MESFET工艺与HEMT工艺; 50?m;;;第3章 IC制造工艺;集成电路制造工艺;多晶硅放入坩埚内加热到 1440℃熔化。为了防止硅在高温下被氧化，坩埚内被抽成真空并注入惰性气体氩气。之后用纯度 99.7% 的钨丝悬挂“硅籽晶”探入熔融硅中，以 2~20转/分钟的转速及 3~10毫米/分钟的速率从熔液中将单晶硅棒缓慢拉出。这样就会得到一根纯度极高的单硅晶棒，理论上最大直径可达45厘米，最大长度为3米。;Process Flow of Annealed Wafer;3.2 集成电路加工过程简介 硅片制备（切、磨、抛） *圆片（Wafer）尺寸与衬底厚度： 2??— 0.4mm 3??— 0.4mm 5??— 0.625mm 4??— 0.525mm 6??— 0.75mm 硅片的大部分用于机械支撑。;3.2.1 外延生长(Epitaxy);化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);Si基片的卤素生长外延;化学汽相淀积(CVD)——二氧化硅;化学汽相淀积(CVD)——多晶硅;物理气相淀积(PVD)——金属;蒸发原