硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation教学幻灯片.pptVIP

天津工业大学 CompanyLOGO 天津工业大学 Chap.4 离子注入（Ion Implantation） 离子注入掺杂的优、缺点 1 两种碰撞（阻止）模型 2 注入离子的分布（沟道效应） 3 注入损伤及其消除（热退火） 4 5 离子注入系统 天津工业大学 离子注入的优点: 掺杂纯度高，污染小； 掺杂的均匀性和重复性好； 工作温度低，工艺灵活性大； 掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制； 最大掺杂浓度不受固溶度限制； 低温工艺避免高温引起的热缺陷； 离子注入直进性，横向效应小； 掩蔽膜作为保护膜，污染小； 适合化合物掺杂； 可发展成无掩膜的离子束技术。 天津工业大学 Self-alignment（自对准掺杂） 天津工业大学 §4.1 离子注入机理 核碰撞（核阻止） 和晶格原子的原子核发生碰撞 发生明显的散射 造成大量晶格损伤 Sn(E)=(dE/dx)n 电子碰撞（电子阻止） 和晶格原子的电子发生碰撞 注入离子的路径基本不发生变化 能量转移很小 造成的晶格损伤很小 Se(E)=(dE/dx)e LSS理论：S=Sn+Se 天津工业大学 天津工业大学 核阻止本领和电子阻止本领曲线 能量较低，质量较大的离子，主要是通过核阻止损失能量 能量较高，质量较小的离子，主要是通过电子阻止损失能量 天津工业大学 §4.2 注入离子在无定形靶中的分布 射程