第1章半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD.pptx

第1章可制造性设计工具Sentaurus TCAD ;2/117;3/117;4/117;5/117;6/117;7/117;8/117;9/117;10/117;11/117;12/117;13/117;(3) 工艺步骤说明语句 deposit: 用于淀积一个新的层次。 diffuse: 用于高温扩散和高温氧化。 etch: 用于刻蚀。 implant: 实现离子注入。 mask: 用于定义掩膜版。 photo: 淀积光刻胶。 strip: 去除表面的介质层。 stress: 用于计算应力。;15/117;16/117;17/117;18/117;19/117;20/117;21/117;22/117;23/117;24/117;25/117;26/117;27/117;28/117;29/117;30/117;31/117;32/117;33/117;34/117;35/117;36/117;37/117;38/117;39/117;40/117;41/117;42/117;43/117;44/117;45/117;46/117;47/117;48/117;49/117;50/117;51/117;52/117;53/117;54/117;55/117;56/117;57/117;58/117;59/117;60/117;61/117;62/117;63/117;64/11