薄膜工艺技术.pptxVIP

薄膜工艺技术交流 ;CVD部分;一：概述; 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除了某些材料因特殊原因还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。;二：CVD沉积原理及特点;二：CVD沉积原理及特点;二：CVD沉积原理及特点;三：CVD沉积膜及其应用;三：CVD沉积膜及其应用;;3 ：关于TEOS TEOS结构： 用TEOS代替普通SIO2原因：用于IMD，台阶覆盖性极好；热稳定性好；相对普通的二氧化硅，较致密 缺点：颗粒度 与TEOS相对应，BPSG可用TMB，TMPO来沉积。 SI（OC2H5）4，B（OC2H5）3，PO（OCH3）3 代替了由剧毒的B2H6和PH3。 4：Tungsten plug（画图） 用于上下金属层间的中间金属连接物，用钨的原因？基本上会用钨来作为半导体元件的金属内连线。原因？ ;四：CVD方法及设备;3：LPCVD和PECVD沉积膜差别 一般的，PECVD主要用来沉积介电材料膜。而LPCVD则都可进行沉积（本公司也不例外）。 对于介电材料膜区别：