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- 2020-06-09 发布于四川
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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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中华人民共和国国家标准
/ —
犌犅犜14141 2009
代替 / —1 9 9 3
G B T 1 4 1 4 1
硅外延层、扩散层和离子注入层
薄层电阻的测定 直排四探针法
国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页
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20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜14141 2009
前 言
本 标 准 代 替 / — 《硅外延层、扩散层和 离子 注入层薄层电 阻的 测定 直排四探
G B T 1 4 1 4 1 1 9 9 3
针法》。
本 标 准 与 / — 相比,主 要 有 如下改动:
G B T 1 4 1 4 1 1 9 9 3
——— 修改了被测薄层电 阻的 最小直径( 由 1 0 .0 mm改为 1 5.9 mm) 、薄层电 阻阻值的 测量 范围及
精度;
——— 增加了规范性引用 文件;
——— 增加了引入与试样几何 形状有 关的 修正因子 计算薄层电 阻;
——— 增加了干扰因素;
——— 删除了三氯乙烯试剂;
——— 修改了薄层电 阻范围,增加了“直流输入阻抗不小于 1 0 9 Ω”;
——— 删除了三氯乙烯漂洗;
——— 修改仲裁测量 探针间距,由 1 mm改为 1 .59 mm;
——— 增加了修正因子 和 温度修正系数表格。
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