GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人民共和国国家标准 ／ — 犌犅犜１４１４１ ２００９ 代替 ／ —１ ９ ９ ３ Ｇ Ｂ Ｔ １ ４ １ ４ １ 硅外延层、扩散层和离子注入层 薄层电阻的测定 直排四探针法 　 国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页 ， 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犻犾犻犮狅狀犲犻狋犪狓犻犪犾 狆 犱犻犳犳狌狊犲犱犪狀犱犻狅狀犻犿犾犪狀狋犲犱犾犪犲狉狊狌狊犻狀 犪犮狅犾犾犻狀犲犪狉犳狅狌狉狉狅犫犲犪狉狉犪 狆 狔 犵 狆 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜１４１４１ ２００９ 前 言 　　 本 标 准 代 替 ／ — 《硅外延层、扩散层和 离子 注入层薄层电 阻的 测定 直排四探 Ｇ Ｂ Ｔ １ ４ １ ４ １ １ ９ ９ ３ 　　 　 针法》。 本 标 准 与 ／ — 相比，主 要 有 如下改动： Ｇ Ｂ Ｔ １ ４ １ ４ １ １ ９ ９ ３ ——— 修改了被测薄层电 阻的 最小直径（ 由 １ ０ ．０ ｍｍ改为 １ ５．９ ｍｍ） 、薄层电 阻阻值的 测量 范围及 精度； ——— 增加了规范性引用 文件； ——— 增加了引入与试样几何 形状有 关的 修正因子 计算薄层电 阻； ——— 增加了干扰因素； ——— 删除了三氯乙烯试剂； ——— 修改了薄层电 阻范围，增加了“直流输入阻抗不小于 １ ０ ９ Ω”； ——— 删除了三氯乙烯漂洗； ——— 修改仲裁测量 探针间距，由 １ ｍｍ改为 １ ．５９ ｍｍ； ——— 增加了修正因子 和 温度修正系数表格。