第六章存储器D讲义资料.pptVIP

第6章 存储器; 6.1 存储器概述;2. 按存储载体材料分类 半导体材料 — 半导体存储器：TTL型、MOS型、ECL型、I2L型 磁性材料 — 磁带存储器、软磁盘存储器和硬磁盘存储器等； 光介质材料 — CD-ROM、DVD等。;半导体存储器 （Memory）; 2. 最大存取时间： ——访问一次存储器（对指定单元写入或读出）所需要的时间， 这个时间的上限值即最大存取时间，一般为十几ns到几百ns。 从CPU给出有效的存储器地址到存储器输出有效数据所需要的时间;一、RAM原理;地址译码器： 接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。 控制逻辑电路： 接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入。 数据缓冲器： 寄存来自CPU的写入数据或从存储体内读出的数据。 存储体： 存储体是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。;2. 外围电路 （1）地址译码器 ——对外部地址信号译码， 用以选择要访问的单元。 ;存储体;6.2.2 动态RAM（DRAM）;动、静RAM比较： 动：容量大，速度慢，功耗低，刷新电路复杂。 静：容量小，速度快，功耗大，无刷新电路。; 6.3 只读存储器（ROM）;典型的PROM基本存储电路如下图所示。 芯片出厂时，开关管T1与位线（数据线）之间以熔丝相连。 用户可对其进行一次性编程（熔断或保留熔丝以区分“1/0”）： 当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 不可再次改写。;6.3.2 可擦除的PROM 一、EPROM（紫外线可擦除） 1. 基本存储电路;二、EEPROM 特点： 1. 在线改写，简单，在单一5V电源下即可完成。 2. 擦除与写入同步，约10ms。有些E2PROM设有写入结束标志以供查询或申请中断。 3. 一般为并行总线传输，如：2864，引脚与2764完全兼容，最大存取时间200ns，编程与工作电压均为5V。 4. 具备RAM、ROM的优点,但写入时间较长。; 6.4 存储器连接与扩充;6.4.1 存储器芯片选择;6.4.2 存储器容量扩充 当单片存储器芯片的容量不能满足系统容量要求时，可多片组合以扩充位数或存贮单元数。 ???节以RAM扩充为例，ROM的处理方法与之相同。; 二、单元数扩充 例：用8K×8bit的6264扩充形成32K×8bit的存储区,需要的8K×8 芯片数为： 32K/8K=4（片）5; 称地址线A0～A12实现片内寻址，A13～A14实现片间寻址。; 6.5 8086/8088与存储器连接;（1）线选法 当存储器容量不大，所使用的存储芯片数量不多，而CPU寻址空间远远大于存储器容量时，可用高位地址线直接作为存储芯片的片选信号，每一根地址线选通一块芯片，这种方法称为线选法。;（1） 1KB CS;未参与译码的系统地址状态取0时，所对应的物理地址称为基本地址 未参与译码的系统地址状态取不全为0时，所对应的物理地址称为重叠地址 对于上例，1片的基本地址范围是 0400H—07FFH 重叠地址为： 4400H—4700H 8400H—87FFH C400H—C7FFH;地址重叠，每个地址有 2（20~15）= 25个重叠地址。 令未用到的高位地址全为0，则称为基本地址。返回 ;例：CPU地址总线为16位，存储芯片容量为8KB。采用全译码方式寻址64KB容量存储器的结构如下图所示。;3-8译码器74LS138;例：用4片6264(8K×8)构成32K×8的存贮区。 1. 全译码法 ——高位地址线A19~A13全部参加译码，产生6264的片选信号。;8086微机的内存分体;