薄膜课件化学气相沉积6.pptVIP

中南大学物理学院 /64 31 2018/9/13 2.LPCVD ? 低压化学气相沉积技术早在 1962 年 Sandor 等人就做了报道。 ? 低压 CVD 的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的压强降低 到大约 100Torr(1Torr=133.332Pa) 下的一种 CVD 反应。 ? 由于低压下分子平均自由程增加，气态反应物与副产品的传输速度加快， 从而使形成沉积薄膜材料的反应速度加快，同时气体分布的不均匀性在 很短时间内可以消除，所以能生长出厚度均匀的薄膜。具有沉积速率高， 均匀性好，薄膜较为致密等优点。 中南大学物理学院 /64 32 2018/9/13 3 ． PECVD 1. 什么是等离子体（ Plasma ）？ ? 以高浓度电荷（电子、离子）为主要成分的物质第四态； ? 高能离化气体团，整体电中性，但含有高浓度离子和电子； ? 电子不再被束缚于原子核，而成为高能自由电子； ? 由电磁场赋能激发、并与电磁场强耦合，电导率极高； ? 低温等离子体处于非热平衡态 (T 整 ? 、 Te ?? ) ； ? W. Crookes 发现 (1879) ， I. Langmuir 命名 (1928) 。 2. 概念 在低压化学气相沉积过