微电子器件原理-第7章长沟道MOSFETs.pptxVIP

第七章 长沟道MOSFETs（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）;7.1 MOSFETs的基本工作原理;MOSFET器件三维结构图;理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(1) ;理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(2);理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(3);理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(4); p-MOS电容接近硅表面的能带图 ;MOSFET的四种类型及符号; MOSFET符号;7.2 漏电流模型; MOSFET器件剖面图 ;本征电荷密度与准费米势的关系;缓变（渐变）沟道近似; MOSFET器件剖面图;缓变（渐变）沟道近似;PAO和SAH’s双积分;PAO和SAH’s双积分;第3节MOSFET I-V特性;薄层电荷近似 ;薄层电荷近似;线性区特性 ;线性区特性;低漏电压时的I ds--Vg关系曲线 ;饱和区特性 ;饱和区特性;长沟MOSFET I ds—Vds关系曲线 ;夹断点和电流饱和 ;反型层电荷密度与准费米势的关系 ;线性区（低漏电压);开始饱和时;饱和区外，沟道长度开始减小;夹断点和电流饱和;准费米势与源漏之间距离的关系 ;计算的I ds—Vds关系曲线实线（3.18）；点划线：（3.21）;pMOSFET I-V特性;MOSFET的特性曲线;第4节亚阈特性;MOSFET工作的三个区域 ;弱反型导电