机电传动控制10-晶闸管S复习课程.pptVIP

第十章 电力电子学---晶闸管及其基本电路 晶闸管的基本工作原理 基本整流电路及其工作原理 基本逆变电路及其工作原理 触发电路的基本工作原理 别名：可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，出现于60年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 特点：体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 晶闸管（Thyristor） 优点： 功率放大倍数大：用很小的触发脉冲就可以控制很大的功率（电流：几十A---几千A,电压几百V—几千V），功率放大倍数达几十万倍。 控制灵敏：导通和关断时间很短（微秒级）。 效率高：晶闸管的管压降很小，所以发热损耗小，效率达97.5%。 体积小，重量轻。 缺点： 过载能力差。 抗干扰能力差（就是因为放大倍数大引起的）。 容易导致电网电压波形畸变。 控制电路复杂。 应用领域： 整流（交流  直流） 逆变（直流  交流） 变频（交流  交流） 斩波（直流  直流） 此外还可作无触点开关等。 晶闸管的内部结构 A（阳极） P1 P2 N1 N2 K（阴极） G（控制极） 晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三个PN结，并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为： A—阳极， G—控制极， K—阴极。 晶闸管试验 0-t1:开关未合上，控制极对阴极的电压为0，尽管阳极对阴极的电压为正，晶闸管未导通. t2-t3:阳极对阴极的电压为负，尽管控制极对阴极的电压也为正，晶闸管关断 t4-t5:由于这时晶闸管处于导通状态，则维持导通；当t=t5时，由于，晶闸管关断，晶闸管处于阻断状态。 t3-t4:晶闸管的阳极对阴极又开始承受正向电压，这时，控制极对阴极有正电压，所以，晶闸管又导通，电源电压再次加于上 t1-t2:阳极对阴极的电压为正，由于开关合上，使得控制极对阴极的电压也为正，即晶闸管导通，晶闸管压降很小，电源电压加于电阻上 工作原理 示意图 ig ßßig 由二个三极管组成的等效电路 G 1.若只加UAK正向电压，控制极不加触发电压，两三极管均不能导通，即晶闸管不通。 导通过程 K A T1 T2 3.晶闸管导通后，去掉电压UGK，依靠正反馈， 晶闸管仍维持导通状态； 4.晶闸管截止的条件： 晶闸管特性 （1）若控制极不加正向电压，则不论阳极加正向电压还是反向电压，晶闸管均不导通，这说明晶闸管具有正、反向阻断能力； （2）晶闸管的阳极和控制极同时加正向电压时才能使晶闸管导通，这是晶闸管导通必须同时具备的两个条件； （3）在晶闸管导通之后，其控制极就失去控制作用，欲使晶闸管恢复阻断状态，必须把阳极正向电压降低到一定值（或断开，或反向）。 （4）晶闸管导通后，两只三极管饱和导通，阳极与阴极间的管压降为1V左右，而电源电压几乎全部分配在负载电阻上。晶闸管的PN结可通过几十安~几千安的电流。晶闸管触发导通的时间为几微秒。 晶闸管的伏安特性 （1）正向阻断状态：晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压，而晶闸管控制极开路（Ig=0）情况下，开始元件中有很小的电流（称为正向漏电流）流过，晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态（称为正向阻断状态），简称断态。图中第一象限红色段曲线。 （2）正向击穿：在控制极开路的情况下，当阳极电压上升到某一数值时，晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态。阳极这时的电压称为断态不重复峰值电压（UDSM），或称正向转折电压（UBO）。导通后，元件中流过较大的电流，其值主要由限流电阻（使用时由负载）决定。图中第一象限绿色段曲线。 晶闸管的伏安特性 (5) 反向击穿：当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压（URSM），或称反向转折（击穿）电压（URR）。图中第三象限绿色段曲线。 （3）正向导通状态：晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压，晶闸管控制极加上正向电压的情况下，晶闸管导通，阳极电流的大小由负载决定，阳极和阴极间的管压降很小。图中第一象限蓝色段曲线。 （4）反向截止状态：在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时，开始晶闸管处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。图中第三象限黄色段曲线。 晶闸管的主要参数 1.断态重复峰值电压 在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，其数值规定比实测正向转折电压小100V。 晶闸管的主要参数 2）反向重复峰值电压URRM 在控制极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压，此电压数值规定比实测反向击穿电压小100V。 晶闸管的主要参数 3.额定通态平均电流（额定正向平均电