电力电子技术32.pptxVIP

8.4 电力晶体管;;开通过程 延迟时间和上升时间之和为开通时间 加快开通过程的办法：增大基极电流 关断过程 储存时间和下降时间之和为关断时间。 加快关断速度的办法：加负基极电流。; 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff (此外还有)： （1）??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。 实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。;（2）集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2～1/3时所对应的Ic 。 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 （3）集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率。 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。;安全工作区（Safe Operating Area——SOA）由最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。;电力MOSFET的结构和工作原理;截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。;0;工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之