MOSFET驱动电路详解.pdf

浅析MOSFET 驱动注意事项  在低电压（100V 以下）驱动应用中，多使用MOSFET 作为功率转换器件。随着电压的提高， MOSFET 的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT 作为功能器件，该类器 件的耐压可以做得较高，结合了 FET 和三极管的优点，它的导通电阻和开关速度不比 MOSFET，所以器件本身的导通损耗和开关损耗都比较大，一般需要另加散热装置。    MOSFET 和IGBT 的驱动电路很相似，故下文以MOSFET 作为示例，介绍在电机控制中，MOSFET 驱动电路中各个元件的用途，因描述内容来源于实际工程应用，故不会对相关知识作刨根式 描述，是以实用为主，公式或理论上的描述等请自行查看相关资料。    驱动MOSFET，可以选用专用MOSFET 驱动IC 完成电平转换和驱动。因为MOSFET 的栅‐源极 之间存在寄生电容，MOSFET 的开和关过程，是对电容的充放电过程，如果MOSFET 的驱动 电路不能提供足够的峰值电流（如1A 的输入/输出电流），则会降低MOSFET 的开关速度。 另一方面，驱动桥臂的上半桥的N 沟道管……    如下图，是应用MOSFET 驱动IC 驱动由两个MOSFET 搭建的半桥。      易注意到：在 MOSFET 的栅极和驱动IC 的输出之间串联了一个电阻。这个电阻称为“栅极 电阻”，取值一般为10~100 欧姆不等，其作用是调节MOSFET 的开关速度，减少栅极出现的 振铃现象，减小EMI，也可以对栅极电容充放电的限流作用。    由于驱动器和MOSFET 栅极之间的引线、地回路的引线等所产生的电感，和 IC 和 FET 内部 的寄生电感，在开启时会在MOSFET 栅极出现振铃，这是设计者不愿意得到的，一方面增加 MOSFET 的开关损耗，同时EMC 方面不好控制。    栅极电阻的引入虽然影响了MOSFET 的开关速度，但得到可靠的栅极波形和减少EMI。两者 之间的平衡点视实际应用而定。    因特性决定，MOSFET 的关断速度比开启速度慢，并大多应用希望MOSFET 的关断速度要尽 量快，所以对以上电路，要求改善电路的关断速度，可使用如下图之电路进行改善：      如上图，引入了二极管，当需要关闭MOSFET 时，栅极寄生电容放电时，栅极电阻被二极管 短路，所以电流不经过栅极电阻，相当于在关闭时栅极电阻不存在，这样缩短了栅极寄生电 容的放电时间，即提高了MOSFET 的关断速度。二极管使用一般的型号即可应付。    对于要求更高速的应用，会使用有源主动放电，电机应用中一般不使用，这里不作介绍。    如下电路图，在上图的基础上，在半桥的浮地引入一只电阻R3。      这个电阻一方面可以设置MOSFET 的开、关速度，另一方面，由于电机的线圈为感性负载， 在浮地端可能会出现负电压，R3 的引入可以作限流作用，从而保护 MOSFET 驱动 IC 的VS 端。    因此电阻会同时降低MOSFET 的开关速度，故其取值不宜太大。    如上所述，电机驱动应用中，电机线圈是感性负载，在VS 端可能会出现负电压，这可能使 自举电容充电时超过了+15V 。        为了防止以上的情况发生，出于保护 MOSFET 驱动 IC 的目的，再次引入一只二极管，用于 对VS 端电压的钳位。    由于MOSFET 为电压敏感器件，如在上电时，MOSFET 可能出有效电压，使MOSFET 意外地 导通，这也是设计者不愿意看到的。    R4