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2023-09-08 发布于四川
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IBE图片刻蚀工艺与设备培训王瑗纳米加工平台 2009.5 11 1 刻蚀的基本原理 2 IBE刻蚀原理及设备 3 RIE刻蚀原理及设备 4 ICP刻蚀原理及设备 5 工艺过程、检测及仪器 22 1 刻蚀的基本原理刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形 33 1 刻蚀的基本原理干法刻蚀过程示意离子轰击掩膜衬底 44 1 刻蚀的基本原理刻蚀种类: ① 干法刻蚀利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法） ② 湿法刻蚀利用腐蚀性液体将不要的材料去除干法刻蚀工艺特点： ①好的侧壁剖面控制，即各向异性 ②良好的刻蚀选择性; 合适的刻蚀速率；好的片内均匀性 ③工艺稳定性好，适用于工业生产 55 1 刻蚀的基本原理刻蚀参数刻蚀速率习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率刻蚀前刻蚀后刻蚀速率= 刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置 66 1 刻蚀的基本原理刻蚀参数选择比同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。均匀性衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数 NU(%) = (Emax - Emin)/ 2Eave 7 1 刻蚀的基本原理刻蚀剖面被刻蚀图形的侧壁形状各向异性：刻蚀只在垂直于晶各向同性：在所有方片表面的方向进行向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀