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2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 1.结构和工作原理 简称：电力MOSFET（Power MOSFET） P沟道 导电沟道 电力MOSFET主要是N沟道增强型 N沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 uGS↑→导电沟道宽度↑→漏极电流iD↑ ——电压驱动方式 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 1.结构和工作原理 栅极 漏极 源极 简称：电力MOSFET（Power MOSFET） 符号 导通时只有多数载流子参与导电——单极型晶体管 N沟道 P沟道 uGS＞UT（开启电压） 导通条件： D S G D S G 绝缘栅场效应管 2.基本特性和主要参数（自学） 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 主要优点：开关时间短（ns级）、工作频率高（100kHz以上）、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好且不存在二次击穿现象等。 缺点：通流能力较差，且通态电阻值较大，通态压降较高。 4 2012年11月8日 要点复习 1.晶闸管额定电流的选取 IT(AV)=（1.5~2） 正弦半波电流波形系数 Kf=1.57 2.双向晶闸管 1）可用一对反并联的普通晶闸管等效代替； 2）用有效值来标定额定电流。 3.全控型电力电