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（发展战略）GN 基材料半 导体激光器的发展动态 1 引言 GaN 材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子 器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC 、金刚石等半导体材料一起，被 誉为是继第一代 Ge 、Si 半导体材料、第二代 GaAs 、InP 化合物半导体材料之后 的第三代半导体材料。 GaN 是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为 1700℃，GaN 具有高的电离度，在Ⅲ— Ⅴ族化合物中是最高的（0.5 或 0.43 ）。在大气压 力下，GaN 晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有 4 个原子，原子 体积大约为 GaAs 的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。 在室温下，GaN 不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速 度溶解。NaOH 、H2SO4 和 H3PO4 能较快地腐蚀质量差的 GaN ，可用于这些质 量不高的 GaN 晶体的缺陷检测。GaN 在 HCL 或 H2 气下，在高温下呈现不稳 定特性，而在 N2 气下最为稳定。 但是 GaN 材料仍然存在一些问题。如在用异质外延（以蓝宝石和 SiC 作 为衬底）技术生长出的 GaN 单晶，还不太令人满意（这有碍于 GaN 器件的发 展），例如位错密度达到了 108~1010/cm2 （虽然蓝宝石和SiC 与 GaN 的晶体 结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂 GaN 的室温背景 载流子（电子）浓度高达 1017cm-3 （可能与N 空位、替位式 Si 、替位式O 等有关），并呈现出 n 型导电；虽然容易实现 n 型掺杂（掺 Si 可得到电子浓 度 1015~1020/cm3 、室温迁移率＞300 cm2/ V.s 的 n 型 GaN ），但 p 型掺杂 水平太低（主要是掺 Mg ），所得空穴浓度只有 1017~1018/cm3 ，迁移率＜ 10cm2/V.s ，掺杂效率只有0.1%~1% 。本文介绍的是蓝宝石衬底上生长的氮 化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作扼要介绍。 2 材料特性及器件应用 2.1 材料特性 GaN 是目前为止所有Ⅲ- Ⅴ族氮化物中研究最多的材料，但与常用的Si 和 GaAs 材料相比，对 GaN 的了解还是远远不够的。过去较大的本底n 型载流子浓 度，缺乏合适的衬底材料，GaNp 型掺杂的困难及加工困难使研究人员屡屡受挫。 人们对 GaN 感兴趣的一个主要原因是它作为蓝光、紫光发射器件的应用潜力。正 是由于这个原因，许多 GaN 的研究工作致力于测定GaN 的光学特性。 Muraska 和 Tietjian 首先精确测出了GaN 的直接带隙为 3.39eV 。此后不久， Pankove 报道了低温 GaN PL 光谱。随后，Dingle 等人对高质量 GaN 进行了 PL 和 阴极发光光谱测量，还有一些人进行了发射、反射和吸收测量。Kosicki 等人报 道了多晶 GaN 的光学吸收和真空反射率。通过光学泵浦在许多实验中发现了GaN 的受激发射。Dingle 等人率先报道了 GaN 的激射情况。 众所周知，SiO 是半导体加工中常用的一种非常重要的介质材料，它还可用于GaN 2 基激光二极管的制作。由于二氧化硅中氧对 GaN 光学质量的可能影响，目前有一 种研究二氧化硅对 GaN 光学特性和电学特性影响的实际需求。最近 X.C.Wang 等 人报道了对这一问题研究的初步结果。研究发现，SiO 可引起GaN 外延层 PL 性 2 能的明显退化。二次离子质谱(SIMS)测量结果表明，SiO 层中的氧可能是 GaN 2 PL 强度下降的真正原因。另外还发现快速热退火（RTP ）可以恢复和提高PL 性 能。 2.2 器件进展 在成功地开发出蓝光和绿光 LED 之后，科研人员开始将研究重点转移到电注 入GaN 基蓝光 LD 的开发方面。1996 年，Nichia 公司首先实现了室温条件下电注 入GaN 基蓝光 LD 的脉冲工作，随后又在年底实现了室温下的连续波工作。Nichia 公司的成功以及蓝光 LD 的巨大市场潜力致使许多大公司和科研机构纷纷加入到 开发Ⅲ族氮化物蓝光 LD 的行列之中，其中Nichia 公司的 GaN 蓝光LD 在世界上 居领先地位，其 G