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【MOS结构和组合MOS系统能带图】 MOS结构 MOS结构 首先，我们考察图所示的简单两端MOS结构的电特性。该结构包含三层：最下面是称为半导体衬底的p型硅胶，通常我们会把它写为P-Si,在衬底上面所加的电压就称为衬底电压，用V-B来表示衬底电压。 两端MOS结构 P-Si 平板电容器 电极 介质 半导体衬底的上面是绝缘氧化层，又称为二氧化硅层，二氧化硅层的厚度通常在1.5-3.5nm之间，用tox来表示，这是一个很重要的参数，在后面会经常用到。 氧化层的上面是栅极金属层，在栅极上面所加的电压就称为栅极电压，用V-G来表示栅极电压。这三层物质合在一起，从上到下，栅极金属层，Metal，用M表示，氧化层Oxide，用O表示，半导体衬底Semiconductor，用S表示，这就是我们所说的MOS结构。因此MOS就代表了金属-氧化物-半导体这三层结构。 M O S 一个MOS结构可以等效为一只平板电容，其中栅极和衬底作为两个电极，氧化层作为电介质。在半导体衬底中的载流子浓度和分布可由栅极和衬底之间的外加电压控制。对于在衬底中确立不同载流子浓度的偏置条件的基本理解将对复杂MOSFET结构的工作条件提供有价值的参考 首先考虑作为MOS电容的一个电极的半导体（Si）衬底的电特性。半导体中运动载流子的平均浓度服从浓度作用原理：np=ni2。其中，n和p分别为电子和空穴的运动载流子的浓度，ni 是温度T的函数，代表硅本征载流子浓度。在室温下，即T=300K时，ni 约为1.45 ×1010cm-3。 假设衬底均匀掺杂一种受主（如硼）原子，浓度为NA ，p型衬底中平均电子和空穴浓度约为：n仍代表电子浓度，下标p0代表热平衡状态时P型衬底，同理，这里p代表空穴浓度，下标p0代表热平衡状态时的P型衬底。NA是受主杂质的掺杂浓度。掺杂浓度NA的典型数量级约为1015~1016cm-3，它比本征载流子浓度ni 大得多。注意，上式给出的本体电子和空穴浓度在远离表面的区域是有效的。 MOS结构 半导体中运动载流子的平均浓度服从浓度作用原理： 电子的浓度 空穴的浓度 硅本征载流子浓度 在室温下，即T=300K时，ni 约为1.45 ×1010cm-3 假设衬底均匀掺杂一种受主（如硼）原子，浓度为NA ，p型衬底中平均电子和空穴浓度约为： 电子的浓度 热平衡状态时P型衬底 热平衡状态时P型衬底 空穴的浓度 受主杂质掺杂浓度 掺杂浓度NA的典型数量级约为1015~1016cm-3，它比本征载流子浓度ni 大得多。注意，上式给出的本体电子和空穴浓度在远离表面的区域是有效的。 MOS结构 假设衬底均匀掺杂一种施主（如磷）原子，浓度为ND ，n型衬底中平均电子和空穴浓度约为： 电子的浓度 热平衡状态时N型衬底 热平衡状态时N型衬底 空穴的浓度 施主杂质掺杂浓度 掺杂浓度ND的典型数量级约为1015~1016cm-3，它比本征载流子浓度ni 大得多。 P型半导体中，多数载流子是空穴 N型半导体中，多数载流子是电子 再来考虑n型的半导体衬底，我们以前学过，在P型半导体中，多数载流子是空穴，而在N型半导体中，多数载流子是电子。假设衬底均匀掺杂一种施主（如磷）原子，浓度为ND ，n型衬底中平均电子和空穴浓度约为： n仍代表电子浓度，下标n0代表热平衡状态时N型衬底，同理，这里p代表空穴浓度，下标n0代表热平衡状态时的N型衬底。ND是施主杂质的掺杂浓度。 这是p型硅衬底能带图。硅的导带和价带的带隙约为1.1eV。在带隙内均衡费米能级EF的位置取决于硅衬底的掺杂类型和掺杂浓度。费米电势F是温度和掺杂浓度的函数，其值取决于本征费米能级Ei和费米能级EF之差。 MOS结构 导带 价带 P型硅衬底能带图 本征费米能级 带隙能量1.1eV 费米能级 对于p型半导体，费米电势约为： 同理，对于n型半导体（掺杂施主浓度为ND），费米电势为： 上面两式中的定义导致n型材料的费米电势为正 而p型材料的费米电势为负。 下标p表示p型硅衬底 和温度有关 和浓度有关 其中，k为玻尔兹曼常数，q为单位电子电荷 在室温下，即T=300K时， MOS结构 导带 价带 P型硅衬底能带图 本征费米能级 带隙能量1.1eV 费米能级 自由层 硅的电子亲和力的大小为导带能级和真空（自由空间）能级的电势差，表示为q。电子从费米能级跃迁到自由空间所需能量称做功函数qs，计算公式为： qs= q+（Ec-EF）. 硅的电子亲和力的大小为导带能级和真空（自由空间）能级的电势差，在上图中表示为q。电子从费米能级跃迁到自由空间所需能量称做功函数qs，计算如下： 【MOS结构和组合MOS系统能带图】 组合MOS系统能带图 组合MOS系统能带图 前面我们分析了p型半导体衬底的能带图，接着，我们来看下氧化层和金属层的