霍尔元件简介.pdfVIP

实用标准文案 霍尔元件 霍尔元件可用多种 半导体材料 制作，如 Ge 、Si 、 InSb 、GaAs 、 InAs 、 InAsP 以及多 层半导体异质结构 量子阱材料等等 . 霍尔元件 是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种 与磁场有关的场合中使用。 霍尔元件 具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功 耗小，频率高（可达 1MHZ ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、 线性度 好； 霍尔开关 器件无触点、无磨损、 输出 波形 清晰 、 无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达 μ m 级）。采用了各种补偿和保护措施的 霍尔器 件 的工作温度范围宽，可达－ 55 ℃～ 150 ℃。 UH=RHIB/d （18 ） RH=1/nq （金属） （19 ） 式中 RH—— 霍尔系数 ： n——单位 体积 内载流子或自由电子的个数 q ——电子电量； I——通过的电流； 精彩文档 实用标准文案 霍尔元件 B——垂直于 I 的磁感应强度； d ——导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（ 19 ）不同，此处从略。 由于通电 导线 周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，其优点是不与被测 电路 发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测 电源 的功率，特别适合于大电流传感。 利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。 霍尔元件应用 霍尔效应 的半导体。 2 工作原理 霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 所谓霍尔效应， 是指磁场作用于载流金属导体、 半导体中的载流子时， 产生横向电位差 的物理现象。 金属的霍尔效应是 1879 年被美国物理学家霍尔发现的。 当电流通过金属箔片 时，若在垂直于电流的方向施加磁场， 则金属箔片两侧面会出现横向电位差。 半导体中的霍 尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在 居里温度 以下将呈现极强的霍尔效应。 精彩文档 实用标准文案 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差 UH 的基本关系为 : UH=RHIB/d （1） RH=1/nq （金属） （2 ） 式中 RH――霍尔系数； n ――单位体积内载流子或自由电子的个数； q ――电子电量； 过的电流； B――垂直于I 的磁感应强度 ； d ――导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（ 2 ）不同，此处从略。 由于通电导线周围存在磁场， 其大小和导线中的电流成正比， 故可以利用霍尔元件测量 出磁场， 就可确定导线电流的大小。 利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。 其优点是 不和被测电路发生电接触， 不影响被测电路， 不消耗被测电源的功率， 特别适合于大电流传 感。 若把霍尔元件置于电场强度为 E、磁场强度为 H 的电磁场中，则在该元件中将产生电 流 I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度 E 成正比， 如果再测出该电磁场的磁场强度， 则电磁场的功率密度瞬时值 P 可由 P=EH 确定