Q_DXSJJ 0013-20186英寸导电碳化硅单晶片位错密度检验方法.pdf

ICS 29.045 Q/DX H 80/84 北京世纪金光半导体有限公司企业标准JG Q/DXSJJ 0013—2018 6英寸导电碳化硅单晶片 位错密度检验方法 2018－10－09 发布 2018－11－20 实施 北京世纪金光半导体有限公司 批准 Q/DXSJJ 0013-2018 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准起草单位：北京世纪金光半导体有限公司。 本标准主要起草人：何丽娟。 I Q/DXSJJ 0013-2018 6 英寸导电碳化硅单晶片位错密度检验方法 1 范围 本标准详细规定了6 英寸导电碳化硅单晶检测面为（0001）硅面，位错密度在0 个/cm2 7 2 -10 个/cm 之间的碳化硅单晶片位错密度的检测。 2 术语和定义 GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。 2.1 刃位错Threading Edge dislocation(TED） 位错线和Burgers 矢量垂直的位错为刃型位错，简称刃位错。 2.2 螺位错Threading Screw Dislocation （TSD） 螺位错的Burgers 矢量与与位错线平行，为螺型位错，简称螺位错。右螺位错的伯氏矢 量与位错线切向相同，左螺型位错的柏氏矢量与位错线切向相反。 2.3 面位错Basal Plane Dislocation (BPD) 位错线与晶片表面存在夹角时，形成的位错称为基平面位错，简称面位错。 3 原理 本方法利用化学腐蚀法显示晶体原生结晶缺陷位错，碳化硅单晶片硅面经化学溶液择优 腐蚀后，呈现各项异性腐蚀形貌，在有缺陷的位置被腐蚀成浅丘或坑，在微观上呈现离散的 腐蚀凹坑，可结合目视及显微镜进行观察。 化学腐蚀法优先选择晶格畸变处应变能较高的部位，不同位错类型对应不同的Burgers 矢量及应变能，具有不同应变能的位错经腐蚀后具有不同的腐蚀速率，因此对应不同的位错 形貌及位错尺寸。 4 测试仪器 本方法位错密度的测试是采用化学腐蚀并且使用光学显微镜进行检测，因此系统需具备 以下试剂、材料和设备： a) 控温加热器，可加热腐蚀液体温度到700℃以上，控温精度±3℃； b) 镍或银坩埚，采用纯镍或纯银坩埚（纯度99.9%），内径Ф100-200mm； c) 氢氧化钾，优级纯； 1 Q/DXSJJ 0013-2018 d) 无水乙醇（酒精）优级纯； e) 纯水，电阻率大于2M Ω.cm(25℃)； f) 光学显微镜，放大倍数为20-500 倍。 5 测试样品制备 5.1 将分析纯氢氧化钾倒入坩埚中，待温度达到 450℃时，熔融氢氧化钾呈近透明状态。 除另有规定外，应在下列条件下进行腐蚀： a） 坩埚附近无可燃易燃物体，无飞溅水源； 3 b） 环境排风量：≥25m /min。 5.2 温度恒定达500℃并恒定30min 后，将碳化硅单晶片放置于腐蚀液上方预热至少5min, 预热完成后，将碳化硅单晶片以与水平呈 30°倾角缓慢放入腐蚀液中，晶片完全没入药液 后开始计时，腐蚀（5-15min）,腐蚀过程中，每过50 秒，将晶片旋转