第八章-异质结资料讲解.pptVIP

半导体材料 异质结 pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的，也称为“同质结”。 如果结两边是用不同的材料制成，就称为“异质结” 根据结两边的半导体材料的导电类型，异质结可分为两类：反型异质结(p-n，n-p)和同型异质结(n-n，p-p)。另外，异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结，当前人们研究较多的是突变型异质结。 理想异质结的I-V曲线 异质结的能带结构： 总结： 相比同质结， 异质结的特点 (1)异质结两侧的材料具有不同的禁带宽度 (2)由于介电常数的不同，会使界面处出现能带的凸起和凹口，结果能带出现不连续。 (3)在异质结界面处存在比较复杂的界面态。 目前异质结制备的一些常用方法： 1.分子束外延技术。 2.MO-CVD 3.液相外延 4.物理气相沉积法。 5. sol-gel 目前的一些研究对象： 1.制备电子器件：(1)开关器件(2)整流器件SiC基异质材料(3)场效应晶体管(4)异质结双极晶体管(HBT)主要应用材料为GaAs/AlGaAs/GaInP,InGaAs/InP/InAlAs,Si/SiGe等 (5)HEMT(High electron mobility transistor) 2.制备发光二极管：