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4.硅二极管 p 区 n 区 pn 结 p 区 n 区 (反向偏置) 耗尽层 空穴 电子 反向偏值—耗尽层(depletion layer)—pn结电导趋于0 (i=0)； 光照—耗尽层中形成空穴和电子—空穴移向p区并湮灭—外 加电压对pn“电容器”充电—产生充电电流信号 (i?0) 。 特点：灵敏度介于真空管和倍增管之间。 5.光电二极管阵列，photodiode array(PDA) SiO2窗 p 型硅 n 型硅基 p n p n p n p n p n p n 0.025mm 2.5mm 侧视(cross section) 顶视(top view) 光束 说明： 在一个
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