MOS绝缘栅型场效应管之图解.docxVIP

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2020-07-05 发布于天津
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绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件它的栅极与半导体之间是绝缘的其电阻大于增强型时漏源之间没有导电沟道在乍用下无耗尽型时漏源之间有导电沟道在作用下结构和符号以沟道增强型为例在一块浓度较低的型硅上扩散两个浓度较高的型区作为漏极和源极半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极晔道篇头何里晔道篇头何里衬底衬底断沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他管符号衬底衬底耗尽型强型耗尽型强型沟道衬底强型衬底强型沟道工作原理以沟道增

PAGE PAGE # 绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于 1000000000 Qo 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS乍用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道, 在VDS作用下iD o 结构和符号（以 N沟道增强型为例）在一块浓度较低的 P型硅上扩散两个浓度较高的 N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。晔9道篇头何里晔9道篇头何里 P衬底衬底断幵 N沟道绝缘栅型场效应管结

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