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（绩效考核）电池一厂培训考核试卷 29、测试条件要求光强 1000±50W/m2 、温度 25±20C 、光谱分布 AM1.5 。 二、选择题（12） 1、清洗间所涉及的化学品有（ABCD）。 A氢氧化钠B氢氟酸C盐酸D硝酸 2、磷硅玻璃是有（BC）组成。 ACF4BSiO2C磷DSiF4 3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（A） A并联电阻B开路电压C短路电流D串联电阻 4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是（C） ASiF4+2HF→H2[SiF6] BCF4+SiO2——→SiF4+CO2↑ CCF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑ DSiO2+4HF——→SiF4+2H2O 5、单晶绒面呈（B）形。 A三角形B金字塔形C圆形D正方形 6、扩散洁净度要求是___C___。 A10万级B100万级C1万级D1000万级 7、电阻测试___C___个点。 A4B3C5D6 8、硅片扩散工艺结束后应抽取__A____片来检测。 A5B6C3D4 9、POCl3是一种__D___液体。 A白色B红色C浮白色D无色 10、减反射膜的化学式是。（A） A、3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2B、CF4+Si+O2=SiF4+CO2 C.Si+NaOH=Na2SiO3+H2D.H2+O2=H2O 11、电池片镀膜的厚度是利用光学中的＿＿＿＿原理来减少反射。（C） A、光程差。B、相长干涉 C、相消干涉D、光的衍射 12、电池片SiNx：H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在（B） A、65nm,1.8—1.9B.75+5nm,2.0—2.1 C.85+5nm,2.2---2.3D.50—60nm,2.5---2.6 三.连线题（3分） Snap-off网版上升速度 Printingspeed回刮浆料速度 Pressure丝网间距 Speedupward压力 Floodspeed印刷速度 四.判断题（5分） 1.在操作过程中可以裸手拿取硅片。(×) 2.丝网间距的调整原则是:在保证印刷质量的前提下，网板间距越大越好。(×) 3.背电场印刷、背电极印刷和正电极印刷使用了三种不同的浆料，使用过程中要严格区分开，杜绝混用现象出现。(√) 4.烘箱的工艺数和烧结的工艺参数不允许随意更改。(√) 5.直视测试仪闪光灯对人眼伤害的危险。(√) 五、问答题（52分） 1、写出太阳能电池片产业链的分布流程？ 答：太阳能级硅材料→硅棒和硅片→电池片→组件→系统和应用 2、写出太阳能电池片的生产工艺制造过程？ 答：来料检验——清洗制绒面——扩散（制P/N结）——（周边）刻蚀——PECVD（镀减反射膜）——丝网印刷（正负电极）——烧结——分类检测——包装入库 刻蚀及去PSG的目的？ 答：刻蚀的目的：去除边缘的PN结，防止上下短路而造成的并联电阻低。 去PSG的目的：去除硅片表面含有磷原子的SIO2层。 边缘刻蚀冷热探针的工作原理？ 答：热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。 分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？ 答：刻蚀的流程;预抽，主抽，送气，辉光，清洗，预抽，主抽，充气 去PSG的流程：酸洗(HF)，溢流水洗，喷淋，甩干 简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理？ 答：目的：在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。PECVD技术原理：是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 什么是等离子体？ 答：等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。 磷源更换操作流程是什么？泄露应该怎么处理？ 答：源瓶更换的标准操作过程依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。液态源外溢了，要立即擦拭干净，并暂停工艺运行，仔细检查源瓶是否有破损。对泄漏物处理必须戴好防毒面具和手套。液体泄漏用沙土混和,倒至大量水中以稀释。沾染皮肤时,要先用纸、棉花将液体吸去，然后再用清水冲至少15分钟。如用水过少，会在皮肤形成磷酸引起灼伤，按酸灼伤处理。 扩散间生产流程及返工流程是什么？操作时应注意哪些事项？ 答：生产流程：开机→对硅片自检→检查石英舟→插片→上浆→运行工艺→卸片→测方块电阻 →返工片和碎片处理→流程卡填写返工流程：来料时检出不合格的片源→制绒，扩散时中途故障导致→清洗间→扩