光电池伏安特性曲线和普通半导体二极管相同.pptVIP

24硅光电池 光电池的结构特点 光电池的基本原理 光电池的基本特性 电路分析和计算 应用举例  光电池 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成 电能的一种器件 PN结的光生伏特效应:当用适当波长的光照射 PN结时,由于内建场的作用(不加外电场),光 生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于PN 结上加一个正电压。 半导体内部产生电动势(光生电压);如将PN结 短路,则会出现电流(光生电流)。  光电池的结构特点 光电池核心部分是一个PN结,一般作成面积 大的薄片状,来接收更多的入射光。 在N型硅片上扩散P型杂质(如硼), 受光面是P型层 ·或在P型硅片上扩散N型杂质(如磷) 受光面是N型层  光电池的结构特点 受光面有二氧化硅抗反射膜,起到增透作用和 保护作用 ·上电极做成栅状,为了更多的光入射 由于光子入射深度有限,为使光照到PN结上, 实际使用的光电池制成薄P型或薄N型。  SO杭反射胰上电极栅状 上电极引统 扩徵层 Si单晶 背电极引线 背电极