第一章011清华大学版5讲解材料.ppt

模拟电子技术基础 ; 前言：;*掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能。 *能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。 *具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。;（2）按频率分：高频电子，低频电子。 （3）按线性分：线性电子，非线性电子。;关于学习方法的几点建议;3.注意工程上简化分析的条件与处理方法；;模拟电路教学内容; 第一章 半导体二极管及其电 路分析;第一章 常用半导体器件;; 半导体???导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.2 本征半导体;硅和锗的简化原子结构模型;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。称为本征半导体。纯度达99.9999999℅;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。; 漂移 在外电场作用下，电子和空穴会作定向移动，形成电流，这种运动称为漂移，所形成的电流称为漂移电流，故自由电子和空穴也称为电子载流子和空穴载流子。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;在本征半导体硅（锗）原子中掺入微量的磷等五价元素后，所得到的杂质半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，称为N型半导体或电子型半导体。N型半导体呈电中性。 ;二、P 型半导体;;三、杂质半导体的示意表示法;§1.1.3 PN结及其单向导电性;;P型半导体;漂移运动;1、空间电荷区中没有载流子。;二、 PN结的单向导电性;－;二、PN 结反向偏置;P 区;综上，当PN结正偏时，处于导通，，说明此时电阻很小，称为正向电阻，结果电流很大。正向电阻一般为几十到几百欧。当PN结反偏时，处于截止，说明此时电阻很大，称为反向电阻，结果电流近似为零。反向电阻可达100千欧之多。 ;1.2半导体二极管;点接触型;; 二、伏安特性;二极管的伏安特性曲线 如图：uD为加在二极管二端的电压。iD为流经二极管的电流。观察iD与uD的函数关系式为结果为图中曲线。;iD流过二极管的电流 uD二极管两端所加的电压 IS二极管反向饱和电流 UT温度电压当量;PN 结的伏安方程;2、死区，门坎电压Uth 出现死区的原因是正向偏置电压不足以抵消内建电场的电压。 ∴对硅二极管而言；Uth=0.6～0.8V 实际中取UD(on)=0.7V 对锗管而言： Uth =0.1～0.3V 　　 实际中取UD(on)= 0.2V ;3、 反向特性： 如图，uD≤0部分，当反向电压不太大时(零点几伏）后，反向电流就不随反向电压而增大，所以称之为反向饱和电流。IS大约为0.1uA左右，它就是反向饱和电流。由少子形成。;4、 反向击穿 击穿电压UBR 当加与二极管两端的反向电压增大到一定值时，反向电流突然变大，这种现象称反向击穿。对应的电压UBR则称击穿电压。硅管约为几十伏～几百伏，锗管为十几伏～几十伏，对普通二极管而言，反向击穿后管子已被烧坏，不能再用。;反向击穿类型：;三、主要参数;3. 反向电流 IR;4. 极间电容和工作频率;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;部分国产半导体高频二极管参数表;5. 直流电阻RD;5. 交流电阻rd;我们知道，二极管的伏安特性表达式;四、二极管的简易测试 将万用表拨到Ω档的R×100或R×1K档，用万用表的两个表笔分别接到二极管的两个管脚，测其阻值，然后将表笔对换，再进行测试。 若前后两次所测阻值差别较大，则说明二极管是好的。其中，对应于测得阻值较小的那一次，红表笔接的一端为二极管的负极，黑表笔接的一端为正极。 ;1.2思考题; 二极管工作环境：归纳起来有三种情况：只有直流；只有交流；交直流均有。根据二极管的伏安特性曲线知，二极管不是线性元件。那么这将给电路分析计算带来麻烦。本节将提供几种在不同情况下将二极管等效成不同模型近似分析计算的方法。 ;主要要求： ;一、二极管的理想模型分析法和恒压降 模型分析法;iD;例 1 硅二极管电路如下图（a）所示，R = 2 k?， 试用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 值。;[解];采用恒压降模型分析法可得; 结论：