基材料特性所制器件器件研究及其研究发展.pdf

GaN 基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展 1. 引言： （1） GaN是极稳定、 坚硬的高熔点材料， 熔点约为 1700℃，GaN具有高的电离度， 在Ⅲ—Ⅴ 族化合物中是最高的（ 0.5 或 0.43 ）。在大气压力下， GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个 无胞中有 4 个原子，原子体积大约为 GaAs 的一半。是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材 料，并与 SiC 、金刚石等半导体材料一起， 被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、 第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。因其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。下面我 们来了解下 GaN的化学特性、电学特性和光学特性。 （2 ） 氮化镓（ GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第 三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能。氮化镓基激光器的波长可以覆盖 从紫外光到可见光这样一个很宽的频谱范围，氮化镓基激光器在光信息存储、光显示、激光打印、 激光全色显示、大气环境检测等领域有着重要的应用前景和巨大的市场需求。 （3） 以 GaN基半导体低维电子体系和光子体系为主要对象 , 通过 GaN基大失配异质结构的 外延和精细微加工，探索和研究 GaN基半导体中电子和光子的行为及其相互作用，解决国家经济建 设和国防建设有重大需求的 GaN 基光电子器件（包括短波长发光二极管 (LED) 、激光二极管 (LD) 和 紫外光探测器）和微电子器件 ( 主要为高温、高功率微波晶体管 ) 研制与应用中的关键科学与技术问 题，推动宽禁带半导体光电子学和微电子学的发展。 （4 ） GaN基 LED以其寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、 照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研 机构和企业先后开展了 GaN基材料、器件的相关研究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进 展。同时对 GaN基 LED 的可靠性也进行了比较深入的研究。 2. 正文： 一． GaN的材料特性 1、GaN的化学特性 在室温下， GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。 NaOH、 H2SO4 和 H3PO4 2 能较快地腐蚀质量差的 GaN，可用于这些质量不高的 GaN晶体的缺陷检测。 GaN在 HCL或 H 气下， 在 2 高温下呈现不稳定特性，而在 N 气下最为稳定。 2 、GaN的电学特性 GaN 的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的 GaN在各种情况下都呈 n 型 , 最好的样品 16 3 的电子浓度约为 4 ×10 /cm 。一般情况下所制备的 P 型样品，都是高补偿的。 据有关研究人员报告 2 2 GaN最高迁移率资料在室温和液氮温度下分别为 μn=600cm /v?s 和 μn=1500cm/v?s ，相应的载流子 16 3 15 3 16 3 浓度为 n=4×10 /