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INFO130024.02
集成电路工艺原理
第三章实验室净化及硅片清洗
集成电路工艺原理
仇志军
zjqiu@fudan.edu.cn
邯郸校区物理楼435室
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集成电路工艺原理
第三章实验室净化及硅片清洗
大纲(2)
第一章前言
第二章晶体生长
第三章实验室净化及硅片清洗
第四章光刻
第五章热氧化
第六章热扩散
第七章离子注入
第八章薄膜淀积
第九章刻蚀
第十章后端工艺与集成
第十一章未来趋势与挑战
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集成电路工艺原理
第三章实验室净化及硅片清洗
Year of lst DRAM Shipment199719992003200620092012
ize2501m180uun130Tun100n1701
DRAM Bits
DRAM Chip Sizc (mIn2)28
560
Microprocessor Transistors/chip 21.
76M200M[s20M[140
Defect size
125
525
0.00
0.14
Total LLS(cIn
DRAM GOI
0.060.030.0140.000.0030.001
Defect Density(cm)
nic GoI
0150.15
0.08
0.05
0.04
0.03
Defect Density(cm)
Starring wafe
3x10 Under Under Under Under
Total Bulk Fe
Metals onWVafer Surface After
Cleanu
5x104x10°2x10°
ting Material
≥300≥325≥325≥3
450≥450
Modern IC factories employ a three tiered approach to controlling
unwanted impurities(现代 IC fabs依赖三道防线来控制沾污)
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第三章实验室净化及硅片清洗
三道防线
环境净化( clean roon)
硅片清洗( wafer
cleaning
吸杂( gettering)
bitT
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第三章实验室净化及硅片清洗
1、空气净化
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