半导体物理学第六章作业.docVIP

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2020-07-19 发布于上海
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半导体物理学第六章作业.doc

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第六章 pn 结（1）讨论pn结势垒高度对，掺杂浓度以及温度的依赖关系。若p、n两边掺杂浓度分别为/cm和/cm，求为/cm和/cm这两种情形300K时的值。（2）对于施加偏压的pn结，求得下式的最主要的依据是甚么？（3）说明pn结中的注入少子在小注入情形下主要依赖扩散运动。（4）比较Si和Ge的pn结的反向电流。反向电流为何随温度增大？当温度由300K增加到400K时，Ge的pn结的反向电流增加多少倍。（5）讨论半导体材料的对pn结性质的影响： 1）导通电压（参看图6.4，即开始有显著电流的电压） 2）反向电流的大小和性质（扩散区产生电流为主, 还是空间电荷区产生电流为主）结的允许使用温度（6）分析反向偏置的pn结中准费米能级的变化并示意画出少子扩散区中少子的分布。（7）说明在小注入pn结中，电子或空穴在多子区，空间电荷区，和注入区的运动情况。（8）说明pn结两边的电子电流和空穴电流是如何实现转换的。（9）讨论pn结两侧的掺杂情况对结性质的影响 1）电子电流和空穴电流的比值 2）空间电荷区宽度及其在两边的分配 3）结电容（单位面积）若=12，/cm，/cm，VD=1V, 求偏压为0.3V，0V，--10V 时的势垒宽度和单位面积结电容。（10）pn结正向稳态电流和过剩载流子的非平衡积累相联系。若对处于正向的偏置的pn结，突然施加反向电压，在由正向向反向转换的一瞬间会发生什么现象？（11）由实验得到的电容电压关系可表示为, 由之如何得到自建势和求约化浓度（12）说明pn结击穿电压对材料掺杂浓度和禁带宽度的依赖。（13）试画出图8.17的异质结能带图： 1）说明界面处各能量位置是如何确定的。 2）你如何可从图看出自建势的大小？ 3）你如何看出自建势在n型侧和p型侧是如和分配的？ 4）自建势在n侧和p侧的分配决定于什么？不同的分配对能带图的形状有何影响？（14）导出异质突变pn结的空间电荷区宽度、结电容及空间电荷区p型一侧电荷面密度。和同质突变pn结的有关结果进行比较。能否有类似式（6-2-21)的关于最大电场的表示式？为甚么？