局部放电的研究剖析.pptVIP

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局部放电物理模型、频谱分析研究 班级:电自101班 LOGO 系统的背景及意义 奮极不巯笈铑场这种戛驟囧嚮氅中的场强达 痿能鋒置达到保花鞋擊x理系 为提高高电压技术 繼磷础流注论的认识,我们选 主要内容 ◆第一部分:电子崩、流注理论相关介绍 第二部分:局部放电的数学模型研究 第三部分:参考文献 第四部分:献给我们自己 第一部分 汤逊理论认为,6d较小时气体间隙的击穿主 要由电子的碰撞游离和正离子撞击阴极表面 造成的表面游离所引起的。电子崩形成如下 图所示 图1 流注理论 在外施电场作用下,电子崩由阴极向阳极发展,由于气 体原子(或分子)的激励、电离、复合等过程产生光电 离,在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩,电子崩 接近阳极时,电离最强,光辐射也强。光电子产生的子 电子崩汇集到由阳极生长的放电通道,并帮助它的发展 ,形成由阳极向阴极前进的流注 ++一

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