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局部放电物理模型、频谱分析研究
班级:电自101班
LOGO
系统的背景及意义
奮极不巯笈铑场这种戛驟囧嚮氅中的场强达
痿能鋒置达到保花鞋擊x理系
为提高高电压技术
繼磷础流注论的认识,我们选
主要内容
◆第一部分:电子崩、流注理论相关介绍
第二部分:局部放电的数学模型研究
第三部分:参考文献
第四部分:献给我们自己
第一部分
汤逊理论认为,6d较小时气体间隙的击穿主
要由电子的碰撞游离和正离子撞击阴极表面
造成的表面游离所引起的。电子崩形成如下
图所示
图1
流注理论
在外施电场作用下,电子崩由阴极向阳极发展,由于气
体原子(或分子)的激励、电离、复合等过程产生光电
离,在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩,电子崩
接近阳极时,电离最强,光辐射也强。光电子产生的子
电子崩汇集到由阳极生长的放电通道,并帮助它的发展
,形成由阳极向阴极前进的流注
++一
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