量子点在半导体光电器件中的研究资料.pptVIP

LOGO 欢迎参加学士论文答辩 201444 LOGO 指 导教师 ：王河林 量子点在半导体光电器件中的 应用研究 ? 班 级 ： 应 物 1001 ? 学 生： 万郝霆玮 ? 学号 ： 201010800112 目录 ? 1 研究的 背景 与意义 ? 2 制备半导体量子点材料的技术 ? 3 量子点在光学器件中的应用 ? 4 量子点在电学器件中的应用 ? 5 量子点在其他领域的应用 ? 6 量子点未来的研究应用及发展构想 Company Logo ? 背景及意义 ：量子点是指颗粒尺寸在 1 ～ 100 nm 范围内的金属或半导体材料的微小颗粒。其性质稳定，当受 到电或者光的刺激时就会发光。由于其特殊的介于体材料与 分子间的尺寸，从而表现出各种特殊而奇妙的物理化学特性， 利用这些特性可以实现一些普通材料和器件难以完成的目标。 控制量子点的几何形状和尺寸可改变其电子态结构 , 实现量子 点器件的电学和光学性质的剪裁 , 是目前能带工程设计的一个 重要组成部分，也是国际研究的前沿热点领域。 选题的背景及意义 半导体量子点材料的制备 应变自组装技术 ? 典型的“自下而上”制备技术 ? 利用 Stranski-Krastanow(S-K) 生长模式适合于晶格失 配较大，但表面、界面能不是很大的异质结材料体系 ? 优点 ? 方法简单 无需复杂的工艺技术 ? 不会形成自由表面缺陷 不会引入杂质污染 ? 目前是制备量子点材料最常用、最有效的方法 半导体量子点材料的制备 微结构生长与微细加工相结合方法 ? 1) 微细加工处理以后再进行微结构生长技术 。 ? 2) 微结构生长后再进行微细加工处理制备技 术。 半导体量子点材料的制备 表面活性剂法 ? 衬底之间表面能与界面能与生长前沿外延层 之间的关系决定外延生长的模式 1.RsRf+Ri 2.RsRf+Ri 半导体量子点材料的制备 纳米结构的汽 - 液 - 固相 (VLS) 生长模式 1. 在特定的衬底表面上制备空间上排列有序的 金属液滴 2. 分子束炉喷射金属原子或通入气体分子于衬 底表面 半导体量子点材料的制备 离子注入法 ? 通过离子束与衬底材料中的原子或分子发 生一系列物理和化学互作，使入射离子能 量逐渐降低，最后保留在材料中 ? 将离子注入到晶体中会使晶体非晶化，再 经退火非晶可部分重结晶 量子点在光电器件中的应用 活细胞荧光标记及组织光学成像 ? 量子点颜色的多样性及可调性，使其可实现多色标记同一细胞 量子点在光电器件中的应用 肿瘤细胞示踪及诊断影像 （ a ）光动力疗法中的光动力行程 (b) 诱导量子点光动力学过程的可能机制 量子点在光电器件中的应用 动物活体成像 ? 动物活体中量子点结合荧光成像系统可对肿瘤进行定位 , 实时监测 肿瘤细胞的生长和转移 量子点在光电器件中的应用 激素及生物因子研究成像 量子点在光电器件中的应用 量子点激光器 CdS 单纳米线电驱动激光器的结构和发光特性 量子点在光电器件中的应用 ? InAs/GaAs 体系的分子束外延生长规律和 技术也都相对比较成熟 , 易于实现高性能量 子点激光器的制作 改进目标 ? 室温下 ? 高增益 ? 高速度 ? 高功率 ? 低阈值电流密度 ? 连续激射 量子点在光电器件中的应用 纵向输运器件 ? 根据电子在与量子点生长方向平行的输运特 性制成 ? 目前量子阱共振隧穿二极管（ RTD ）已可以与 CMOS 器件混合集成，而量子点 RTD 的研究目前处于 基础研究阶段 ? 常见的量子点 RTD ：双势垒结构 —— 势垒之间为量 子点有源区，发射极和集电极分布于势垒两侧 ? 加特定偏压时，能带发生倾斜。发射极电子费米能 级达到或高于量子点电子基态能级，电子有较大概率 共振隧穿通过双势垒结构 ? 持续加大偏压，量子点电子基态能级低于发射极导 带底，共振隧穿停止，负微分电阻现象出现。随偏压 的升高，电子还与量子点电子激发态能级共振，电流 - 电压曲线呈现振荡或台阶特性 量子点在光电器件中的应用 横向输运器件 ? 单电子晶体管：由于库仑阻塞效应，电子只能逐个通过器 件，呈现单电