第七章 金属和半导体的接触_图文.docVIP

二、欧姆接触 ②实际情况： 半导体材料与金属接触都形成势垒。 当势垒很薄时，发生隧道效应，形成欧姆接触 ? 隧道效应的特点 在势垒高度确定的条件下，隧穿的几率 依赖于势垒的宽度 根据扩散理论： d ? 2? r?0 ?VD -V ? qND 制作欧姆接触最常用的方法是用重掺杂 的半导体与金属接触。 d ? 25 A N D ? 6.2 ? 1019 cm?3 o 接触情况对比 理想接触 金属的功函数决定接触 类型及势垒高度 实际接触 ?整流接触 由于存在表面态，接触时 总是形成势垒，且势垒高 度受金属功函数影响不大 ?欧姆接触 Wm ?WS Wm ?WS 电子的阻挡层 ——整流接触 电子的反阻挡层 ——欧姆接触 用重掺杂的半导体与金属 接触，利用隧道效应形成 欧姆接触 谢 谢