IGBT的结温如何计算.pdfVIP

IGBT 如何计算 结温？ IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计， 还会影响 IGBT 可靠性和寿命。因此，如何计算 IGBT 的结温 Tj，已成为大家普遍关注的焦 点。由最基本的计算公式 Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss 可知，损耗 Ploss 和热阻 Rth(j-a)是 Tj 计算的关键。 1. IGBT 损耗 Ploss 计算基础知识 图1 IGBT 导通损耗和开关损耗示意图 如上图1所示，IGBT的损耗Ploss主要分为导通损耗Pcond和开关损耗Psw两部分。 1.1 IGBT 导通损耗 Pcond IGBT的导通损耗Pcond主要与电流Ic、饱和压降Vce和导通时间占空比D有关，如公式1 所示： 其中，电流Ic(t)和占空比D(t)都是随时间变化的函数，而IGBT饱和压降Vce(Ic,Tj)，不 仅与电流Ic大小，还与IGBT此时结温Tj相关，如下图2所示： 图2 不同温度IGBT 饱和压降示意图 为简化计算，先将饱和压降Vce(Ic,Tj)近似为Ic的线性函数Vce(Ic)如公式2所示： 其中，rT为近似曲线的斜率，即∆Vce/∆Ic，VT0为该曲线与X轴的交点电压值。 图3 IGBT 饱和压降随不同结温Tj 的变化 考虑到 Vce Tj 近似线性的关系，如上图 3 所示，将 Tj 的影响因子加入公式（2 ），得到 Vce(Ic,Tj)饱和压降的线性函数，如公式（3 ）、（4 ）、（5 ）所示： 其中，TCV 和 TCr 分别为 VT0 和 rT 的温度影响因子，可根据25°C 和 125°C （或150°C） 两点温度计算而得。 基于上述思路，我们可以将 IGBT 的导通损耗 Pcond 计算出来。 1.2 IGBT 开关损耗 Psw IGBT 的开关损耗 Psw 主要与母线电压 Vcc 、电流 Ic、开关频率fsw 、结温Tj、门级电阻 Rg 和回路电感 Lce 有关，如公式 所示： 其中，Esw_ref 为已知参考电压电流、门级电阻、温度 Tj 和回路电感下的损耗值，Ki 为电 流折算系数，Kv 为电压折算系数，K(Tj)为温度折算系数，K(Rg)和 K(Ls)分别为门级电阻和 回路电感的折算系数。 通常而言，折算系数 Ki、K(Tj)和 K(Rg)，可由 Datasheet 相关曲线直接估算出来，以 1200V/600A 的半桥模块SEMiX603GB12E4p 为例进行分析，如下： 图4 IGBT 开关损耗Esw 随电流Ic 的变化 图5 IGBT 开关损耗Esw 随结温Tj 的变化 由图4所示，该IGB