半导体参考答案.docVIP

7.1 InSb 的电子有效质量me=0.015m, 介电常数??=18，晶格常数a ＝6.479?，试计算（1）施主电离能，（2）基态的轨道半径，（3）若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交叠时，掺有的施主杂质浓度应高于多少？ 利用类氢原子模型，锑化铟中施主杂质的电离能为 相应地，施主杂质的玻尔半径为 锑化铟的结构为fcc，晶格常数a ＝6.479?，晶体样品的总体积为，N 为晶体含有的单胞数 一个施主杂质原子占据的体积为 欲使杂质之间不发生重叠的临界杂质数为 每个单胞含有4个阳离子和4个阴离子，所以使杂质间发生重叠的最小浓度为 7.2 设有两个价带，带顶均在k＝0 且能量相等，带顶空穴有效质量有以下关系：m1＝3m2，定性画出两者的E－k 关系图。 7.3 已知Si 中只含有施主杂质，ND＝1015cm-3，现在40K 下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。在室温（300 K）Si的有效能级密度为2.8×1019cm-3。 杂质激发， 导带中电子的数目 温度很低时 有效能级密度为，根据在300 K时Si的有效能级密度，计算温度为40K时的有效能级密度。然后代入公式计算出施主杂质的电离能。 7.5 已知T＝300K，硅的本征载流子浓度ni＝1.5×1010cm-3，硅PN 结N 区掺杂为ND＝1.5×1